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无刷直流(Brushless Direct Current,BLDC)电机因其功率密度大,转化效率高,维护成本低等优势,已经成为电动工具首选的动力输出源,......
硅(Silicon,Si)功率器件发展至今已接近其理论极限,难以满足开关电源高频、高效率、高功率密度及高可靠性的需求。低压增强型氮化......
氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)由于其高电子迁移率、高电流密度和高耐压等优异特性而受到广泛关注，作为下一代功率器件强......
近三年来,可替代功率MOSFET器件的基于氮化镓晶体管产品系列已非常广阔(参考文献1)。除了优异的传导性能外,这些新一代器件的开关......
氮化镓晶体管可耐受极度高温,并且其频率和功率特性远远高于硅、砷化镓、碳化硅、以及迄今为止所制造的所有半导体器件.此类器件的......
随着新材料新器件的不断发展,宽禁带功率半导体的出现,推动了各个产业的进步,氮化镓晶体管(GaNFET)由于其寄生电容小、导通内阻小......
新型宽禁带半导体器件氮化镓晶体管相比传统硅器件在提高变换器频率、功率密度上有明显优势,拥有广阔的应用前景。本文针对高频高......
开关电源体积小、效率高、稳定性好,普遍应用在现代的各种电力电子设备中。随着现代各种电力电子设备向着小型化和轻型化的方向发......
日前,在北京举行的2010年亚太区电磁兼容（APEMC）国际学术大会及展览会上,Milmega公司在中国率先推出一款领先于西欧和美国市场的固态......
近几十年以来,电子产品制作工艺越来越精细,芯片集成度和性能不断提高,导致无线通信广泛地渗透到个人消费、远程办公、工业生产以......
