对1200 V碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)(包括双沟槽型栅极结构、非对称沟槽型栅极结构和平面型栅极结构)的抗浪涌能力......

作为第三代半导体材料的代表,GaN具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子迁移率等优点,因此GaN功率器件被广泛应用于高频、高功率密度......

本文提出了半导体雷浪涌防护器的一种多元胞结构,分析了该模型的转折特性与维持电流的协调关系,为提高SSP原浪涌能力、改善响应特......

瞬态电压抑制器（ＴＶＳ）流过一个浪涌电流时，器件产生的功耗会使其发热且温度升高从而限制了器件吸收浪涌的能力。该文设计并试制了一种多元......

讨论了半导体放电管能量损耗对其浪涌能力的影响.结果表明减小长基区宽度可以明显地降低器件的开通和通态能量损耗,从而有效提高器......

在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图，对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证，结果表明合理设计多元胞版图......

SOD123WTVS器件采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系二极管提供400W额定峰值脉冲功率（10／1000uS），单位PCB面积的浪涌能力约为67w／mm^......

SOD123WTVS器件采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系列二极管提供400W额定峰值脉冲功率（10／1000μs），单位PCB面积的浪涌能力约为67W......

该产品系列集超低容值、低钳位电压、超强ESD抗打击及防浪涌能力能力于一身，这三大关键能力参数在工作时同时呈现最优指标，目前在业......

在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图．对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证，结果表明合理设计多元胞版图......

在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图 .对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证 ,结果表明合理设计多元胞......