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液相金属氧化物化学汽相沉积相关论文
生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响
采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积(LP-MOCVD)设备,在Ge(100)向(110)面偏9°外延生长出GaAs单晶外延层,对电池材料进行了X......
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生长速率
低压MOCVD
外延生长
异质结
液相金属氧化物化学汽相沉积
GAAS/GE
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LPMOCVDGaAs/Geant
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