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人们以前从电流机制出发来构建环栅肖特基势垒MOSFET漏源电流模型,目前还缺乏基于阈值电压的电流模型。将掺杂漏源环栅NMOSFET漏源......
本文利用改进的米勒模型模拟了金属-铁电-绝缘体-基底结构铁电场效应晶体管在电离辐射环境下的铁电薄膜极化、界面电荷密度和电荷......
随着MOS器件的特征尺寸已经进入到纳米量级,传统的SiO2/Si系统已经不能满足集成电路发展的要求。而高k栅介质的使用在降低栅极漏电......
