漏电流机制相关论文
超大规模集成电路工艺集成度的不断提高，要求栅介质的厚度越来越薄.由栅氧化层的隧穿效应而产生的漏电流等静态功耗随之成指数形式......
采用射频反应磁控溅射法在p-Si(100)衬底上成功制备出SrHfON高k栅介质薄膜,并研究了Au/SrHfON/Si MOS电容的漏电流机制及应力感应......
Bi2NiMnO6(BNMO)是标准的双钙钛矿结构的氧化物,它是一种可以同时具有铁电性和铁磁性的多功能材料。在BNMO薄膜中科学家发现了很强......
Bi2FeMnO6(BFMO)是一种从理论上被设计出来的新型双钙钛矿结构的氧化物，它可能具有与多铁功能材料BiFeO3、BiMnO3等类似的优越性能，......
近年来,铁电薄膜成为了高新技术研究的热点之一。铁电薄膜在各个领域都有着广泛的应用。根据铁电薄膜的不同特性,例如:铁电性、压......
非挥发性存储器（NVM）应该具有以下特性,如高密度、低成本、快速的读、写访问、低功耗、高耐疲劳性和长的保持性。硅基闪存（Flash）器件......
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采用脉冲激光沉积法（PLD）,在掺铌的钛酸锶单晶基片（Nb∶SrTiO3,NSTO）上外延生长了15 nm厚度的BTO薄膜.并采用X射线衍射（XRD）、原子力显微......
在一定范围的温度内,多铁性材料中同时存在铁电性(反铁电性)、铁磁性(反铁磁性)等多种铁性,磁和电有序之间存在耦合作用,可以实现......
