因生长时工艺条件的不同，区熔硅单晶中的微缺陷类型及分布会呈现出不同的变化。 对单晶生长工艺中影响缺陷形成的相关因素进行了分......

直拉硅单晶抛光片经过高温氧化后,腐蚀显示出氧化诱生缺陷,包括漩涡缺陷和氧化层错(oxidation induced stacking faults,OISF),其......

对一种黑心片样品进行了分析。在确认黑心区为低少子寿命区的基础上，发现其电阻率明显偏高；发现黑心区经Secco刻蚀后，表面密布重叠圆......