激子跃迁相关论文
采用斯塔克(Stark)光谱(电场调制反射光谱)技术研究了酞菁锡(SnPc)多晶薄膜中的激子跃迁和电荷转移。观察到一系列分子间电荷转移......
报道用分子束外延 (MEB)技术生长的x =0 4 ,0 8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结......
报道用分子束外延(MEB)技术生长的x=0.4,0.8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/ CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结果.......
利用变分法理论研究了ZnCdSe/ZnSe量子阱(QWs)中基态重空穴激子光跃迁能量随静压的变化关系.计入了有限高势垒效应.考虑了晶格常数......
报道用分子束外延（MBE）技术生长的x=0．4，0．8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe／CdTe超晶格低温和室温荧光谱研究结果。基态激子跃迁能级荧光......
测量以GaAs为衬底的Zn1-xCdxSe/ZnSe应变层多量子阱在不同温度下(18～300K)的光伏谱,研究Zn1-xCdxSe/ZnSe多量子阱的光伏效应和带间......
采用光致发光谱、光致发光激发谱以及拉曼光谱对GaN基量子阱材料进行了实验观察和分析.实验结果表明样品中量子点结构不均匀及InGa......
