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设计并制备了一种新型的(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱结构.使CdZnTe量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ZnS阱层,从而达到提高光......
利用MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了非对称量子阱结构CdSe／ZnSe材料，通过对其稳态变温光谱及变激发功率光谱，研究了其发光特性。稳......
激子概念自上世纪三十年代Frankel、Wannier等提出后，激子效应的研究一直倍受关注。特别是Ⅱ-Ⅵ族半导体低维结构由于较大的激子束......
