用LP-MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe／ZnSe非对称双量子阱(ADQW)结构。通过ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得......

本文研究了对非对称Ⅱ-Ⅳ族耦合多量子阱Zn1-xCdxSe/ZnSe的荧光光谱和拉曼散射谱特性。实验中观察到了比较明显的量子阱荧光峰；在拉......

77K下首次观测到了来自ZnCdSe-ZnSe组合超晶格的受激发射过程。在组合超晶格中由于载流子转移过程的存在，受激发射出现在具有宽阱的......

采用准二维模型计及Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ半导体异质结界面附近的能带弯曲效应，讨论了异质结界面极化子的基态能量，能效质量随电子面密度以及Ｃｄ组份的变化关......

对单异质结界面系统，引入三角近似异质结势，利用变分法讨论在界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量。对Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ系统的杂质态结合能做了数......