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热退火N化相关论文

超薄层SiOxNy栅介质薄膜的制备与研究进展

在0.1μm级的Si-CMOS器件及其集成电路中,作为替代传统SiO2栅介质的首选材料,超薄SiOxNy膜已被广泛研究和应用.本文介绍了近几年Si......

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SiOxNy栅介质热退火N化等离子体氮化化学气相沉积氮注入 SiOxNy gate dielectrics thermal annealing nit

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