环振电路相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

环振电路相关论文

超高速CMOS/SOI 51级环振电路的研制

利用CMOS/SOI工艺在 4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为 1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路 ,从单管的开关电流......

期刊

CMOS/SOI MOSFET 环振电路

高速SOI MOS器件及环振电路的研制

采用 SOI/CMOS工艺成功地研制出沟道长度为 0 .8μm的 SOI器件和环振电路 ,在 5V和 3V电源电压时 51级环振的单门延迟时间分别为 8......

期刊

SOI MOS 高速环振电路研制

看过本文同时还关注