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在薄膜生长的成核阶段，稳定聚集体将逐渐覆盖衬底表面．同时，薄膜的生长将发生在被覆盖的衬底部分，而成核则发生在未被覆盖的部分．本文研......
计算了计入次近邻相互作用后一维点阵在低温下的定＂长＂比热，结果表明次近邻的影响使比热减小．比热；次近邻作用
The specific “long” ......
一、佩林的生平简介及主要成就佩林 (Jean Baptiste Perrin 1870～ 194 2 )于 1870年 9月 30日生于法国里尔 .因家境贫寒 ,2 0岁才考......
自五十年代初，E.M．Purcell，K．VPound及N．F．Pamsey等人用实验的方法证实了负绝对温度的存在以来，负温状态已成为热力学及统计物理学研究的......
介绍用硅三级管作为样品，在低温１５０Ｋ－２５０Ｋ范围内，测量其ＰＮ结正向特征，可精确求得玻耳兹曼常量及硅半导体材料禁带宽度的值。......
