本文在分析IEGT结构特点和工作原理的基础上,建立了IEGT的结构模型,并利用MEDICI软件对其I-V特性、阻断特性、通态特性及开关特性......

介绍了平面栅电子注入增强型栅极晶体管(IEGT)的闩锁效应,讨论了温度对关键特性参数如通态压降、正向阻断电压及开关时间的影响.利......

电子注入增强型栅极晶体管IEGT (Injection Enhancement Gate Transistor)是由IGBT发展而来的。1994年由日本东芝公司开发成功。由......

介绍了平面栅电子注入增强型栅极晶体管(IEGT)的闩锁效应,讨论了温度对关键特性参数如通态压降、正向阻断电压及开关时间的影响。......