闩锁相关论文
沟槽栅FS IGBT（Field Stop Insulated Gate Bipolar Transistor）凭借导通饱和压降低、沟道密度高、栅极易驱动、正向阻断电压高等优......
半永磁材料是具有一定矫顽力和尽可能高的剩余磁通以及一定方形比(Br/Bs)的材料.多用于闩锁继电器、磁滞式马达、半固定记忆元件等......
针对5V电源的静电放电(ESD)防护,提出一种利用PMOS管分流的新型优化横向可控硅(PMOS-MLSCR).相比于传统MLSCR,PMOS-MLSCR具有更高......
可控硅(SCR)被广泛应用于片上静电放电(ESD)防护.由于SCR的低维持电压特性,闩锁问题一直是其应用于高压工艺ESD防护的主要问题.改......
本文提出空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管 (CI LIGBT) ,可有效控制高压下阳极区空穴注入 ,提高器件的抗闩锁性能 .数值模拟与......
期刊
介绍了平面栅电子注入增强型栅极晶体管(IEGT)的闩锁效应,讨论了温度对关键特性参数如通态压降、正向阻断电压及开关时间的影响.利......
针对CMOS器件的闩锁现象,结合三种实际的应用电路分析了电路系统中闩锁的几种典型表现形式及其解决的方法,讨论了电路设计时避免闩......
据球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最近推出两款防闩锁型开关ADG5412和ADG5413，能够保证工作电压高达±20V的高压工业应......
分析和解决了开关电源TPS54350在小负载应用电路下的失效问题。通过对失效器件进行外观镜检、I-V曲线测试、X线检查，对典型应用电路......
分析了两种过流保护方法的功能及优缺点，研究并提出了一种可应用于集成稳压器中改善闩锁效应的foldback过流保护电路。通过在一般fo......
在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上，采取一种抗闩锁方法，即在高低压之间做一道接地的少子保护环。通过对环的电位、位置和宽度的......
测试了不同静态栅极触发电压（输入电压）下诱发CMOS闩锁效应需要的电源电压和输出电压（即将闩锁时的输出电压）,发现静态栅极触发CMOS闩......
体硅互补型金属-氧化物半导体集成电路含有寄生4层可控硅结构，当工作在瞬时γ射线脉冲辐射环境下时易发生闩锁，导致电路失效，甚至烧毁......
对在多级电源系统可靠性设计中遇到的几个关于闩锁的问题进行了研究，针对闩锁产生的原因进行分析，并提出解决方法。......
ADI最近推出ADG5206和ADG5207两款多路复用器，这两款器件能够在工作电压高达±22V的高压工业应用中确保无闩锁现象。闩锁是指一......
应用于ESD防护的低压触发SCR组件，当受到电路噪声干扰时，极易造成SCR组件的误导通，进而影响到电路的正常功能，严重时可以产生持续的闩......
本文以建立的EE80C196KC20型单片机运行系统为研究对象,在＂强光一号＂加速器上,对系统中的LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进......
对超深亚微米存储器（32 k SRAM）激光辐照下的剂量率效应进行了初步研究，实验测量了SRAM激光辐照下的效应规律，比较了零时SRAM的状态（读......
绝缘栅双极晶体管（IGBT）具有寄生晶闸管。当电流密度超过某个特定的电流密度时可能会发生闭锁。为了增加闩锁电流密度，提出了一种在P......
本文研究了部分耗尽绝缘体上的硅（PDSOI）NMOS、CMOS结构的闩锁（latch）特性。提出了一种体电极触发诱发PDSOINMOS器件闩锁效应维持电压......
随着空间技术的发展，空间通信将变得越来越重要，基于SRAM的FPGA是空间通信设备中的首选器件。而CMOS晶体管是实现FPGA的主要微电子器......
电子注入增强型栅极晶体管IEGT (Injection Enhancement Gate Transistor)是由IGBT发展而来的。1994年由日本东芝公司开发成功。由......
介绍了平面栅电子注入增强型栅极晶体管(IEGT)的闩锁效应,讨论了温度对关键特性参数如通态压降、正向阻断电压及开关时间的影响。......
期刊
大规模集成电路的飞速发展使得电子产品的体积越来越小,促使了便携式电子产品如雨后春笋一般蓬勃发展,不断添加的新特征和能力,使......
在“强光一号”加速器上,对LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐照效应实验研究,获得了单片机的闩锁阈值,并得......
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自20世纪80年代起,现代功率半导体技术飞速发展至今,以IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)为代表的现代......
描述了工程师在将模拟开关和多路复用器设计到恶劣环境下所用模块中时面临的挑战,并提供了一些一般解决方案建议,以供电路设计人员......
在新能源、高铁、电动汽车、智能电网这些绿色产业或产品中,绝缘栅双极型晶体管(Insulated gate bipolar transistor,IGBT)是必不......
高压IGBT模块已广泛应用于电力电子技术领域。在实际运行中IGBT会发生各种故障,最常见的故障之一就是负载短路,这对器件本身甚至整......
采用理论分析和微波注入实验相结合的方法,分别研究了以74HC04和74LVCU04A两种芯片为核心的反相器基本缓冲及数模转换电路的微波效......
期刊
本文在分析DF100A发射机整个控制系统电路的基础上,提出了一种依据逻辑门组合控制的电路来实现原有的由继电器逻辑控制的电路,并将......
期刊
闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试......
SCR器件作为目前单位面积效率最高的ESD保护器件,被广泛研究并应用到实际电路中。SCR所具有的低保持电压特性可以带来很高的ESD性......
本文针对CMOS集成电路的闩锁效应产生的原因,结合实际调试过程中的案例,探索芯片内部发生闩锁效应后的故障表现并提出避免方法以及......
根据给定的技术指标,采用区熔(FZ)单晶衬底、非穿通(NPT)耐压层、尺寸缩小的P阱、平面栅、多级场板终端(或场环加场板)等结构的组......
电磁脉冲对计算机和数字电路系统的干扰与毁伤作用以及防护技术已经成为现在研究的重点之一。高功率微波作为强电磁脉冲的一种重要......
绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是非常重要的一类电力电子器件，能很好应用于多种领域。我国对IGBT的需求......
绝缘栅双极晶体管IGBT (Insulator Gate Bipolar Transistor)是MOS栅器件结构与双极晶体管结构相结合进化而成的复合型功率器件,具......
文章从技术发展角度总结了IGBT发明初期的发展历史,比较全面的介绍了动态控制IGBT阳极发射结的研究进展与现状,并列举了目前比较常......
集成电路在实际应用中，经常会出现工作异常甚至失效的情况。当电路发生失效时，需要采用各种手段尽快定位问题所在，在本地复现相关现象......
超大规模集成电路和高压功率器件技术的发展推动了功率集成电路的发展。功率集成电路应用广泛,包括平板显示驱动芯片、通讯类芯片......
宇宙空间中存在高能粒子.这些粒子会导致空间电子系统中FPGA发生闩锁.为了避免FPGA闩锁时发生损坏,采用2个稳压器并联供电,在FPGA......
静电放电是CMOS电路中最为严重的失效机理之一,严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性,研究了在CMOS电路......
伴随着CMOS工艺技术的发展,CMOS电路已经成为VLSI制造中的主流,而CMOS器件特征尺寸的快速缩小和CMOS电路的广泛应用,使得CMOS电路......
SCR是ESD保护器件中最具有面积优势的一种。提出一种应用于高压接口电路的SCRESD保护结构,同时避免了发生闩锁的风险。采用0.5umBC......
