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电学应力相关论文
基于Kink效应的AlGaN/GaN HEMT器件可靠性研究
GaN材料作为新型第三代半导体材料,具有击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高等优良特点,在高温、高频、大功率应用方面具有非......
学位
场效应器件
Kink效应
电学应力
可靠性分析
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