场效应器件相关论文
三维拓扑绝缘体是中新的量子物质形态。其体内是有能隙的绝缘体，表面具有单一的自旋极化的狄拉克锥表面态，这种无能隙的金属表丽态的......
GeSe2是一种宽禁带半导体材料,其禁带宽度为2.7eV,是IVA-VIA族化合物家族中的重要成员。作为一种新型的多功能材料,GeSe2因其在光......
有机场效应晶体管(OFET)具有成本低、质量轻、可溶液加工等特点近年来引起了人们的广泛关注。最近几年来,由于众多科研工作者在分......
最近有机小分子微纳晶体受到越来越广泛的关注。相比于无机材料,有机微纳晶体具有制备简单、良好的光电性能、适用于柔性器件等特......
GaN材料作为新型第三代半导体材料，具有击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高等优良特点，在高温、高频、大功率应用方面具有非......
功率MOS集成电路作为功率集成电路发展的主流，将低压CMOS控制电路、保护监测电路和高压MOS功率器件集成在一起，显著提高整机系统的性......
随着太阳能作为新兴绿色能源的应用逐渐推广,市场对光伏系统及其组件的性能提出了更加严格的要求,新型的光伏系统旁路开关模块也越......
有机场效应晶体管（OFETs）是以有机半导体材料为有源层的场效应晶体管器件。自从1986年第一个有机场效应晶体管问世以来，有机场效应晶......
基于单壁碳纳米管(SWCNT)的场效应气体传感器由于具有传感性能好、体积小、室温操作和加偏压自我解吸附等优良性能,有着广泛的应用......
严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点。绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应。......
期刊
对比甲醇-盐酸混合物及硫酸处理对场效应器件（Field-effect device，FED）电化学测试性能的影响。实验结果表明，FED表面经过两种方式处理......
对4H-SiC MESFET的特性研究发现,在室温下4H-SiC MESFET饱和漏电流的值为0.75A/mm,随着温度的上升,器件的饱和漏电流和跨导一直下......
对传统分频器电路工作在低电压（1V）时存在的问题进行了分析，在此基础上提出了一种新的分频器电路结构，将NMOS和PMOS管的直流偏置电压分......
介绍了一种制作在普通体硅上的CMOS FinFET。除了拥有和原来SOI上FinFET类似的FinFET结构，器件本身在硅衬底中还存在一个凹槽平面M......
利用谐波平衡（HB）分析方法，对微波大功率MESFET管芯进行了输入，输出匹配电路设计。首先讨论了对非线性MESFET等效电路网络进行非线性与......
二维金属硫族化合物（MDs）具有丰富的化学组成和晶体结构,赋予了其丰富的物理化学性质和广阔的应用前景,但同时也为材料的可控合成带......
以十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为表面活性剂,在乙二醇（EG）中进行溶剂热反应,成功合成了四方晶系CuInS2花状微球。利用扫描电子显微镜（SE......
文章主要介绍了已研制的C波段5.2～5.8GHz 4W GaAs MESFET功率管制作技术,包括将匹配网络等效电路元件参数换算成集总和分布式元件的......
提出了一种ＧａＡｓ双栅ＭＥＳＦＥＴ的ＰＳＰＩＣＥ直流模型，分析了ＧａＡｓ双栅ＭＥＳＦＥＴ漏极电流与两个控制栅偏置电压之间的关系，给出了漏极电流表达式。通过提取适当的模型参数，其直......
在该研究工作中，利用该所生产的ＳｉＧｅ材料，研制ＳｉＧｅ沟道Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ器件。初步的研究结果表明，ＳｉＧｅ沟道ＰＭＯＳＦＥＴ器件的跨导比硅沟道ＰＭＯＳＦＥＴ器件的跨导高。如果在器件工艺采取进......
2.2电荷基CMOS新扩展器件电荷基CMOS新扩展器件的功能和场效应器件不同,包括利用带间隧穿效应的隧穿FET、利用冲击离化效应的IMOS......
过氧化氢会在很多酶催化的氧化反应中产生，包括葡萄糖氧化酶、尿酸氧化酶、胆固醇氧化酶、乙醇氧化酶等，因而测定过氧化氢的浓度可用......
近年来,受制于传统硅材料的物理极限,硅基微电子器件要继续遵循摩尔定律进行发展面临着极大的困难。二维层状材料,包括石墨烯和金......
石墨烯作为最薄的单原子层二维材料,其极高的载流子迁移率、热导率以及优越的光学和力学特性,使其成为制备柔性、透明高性能场效应......
由于石墨烯在电、热以及化学等领域均具有优异的特性,因此受到各国研究人员的广泛关注。将石墨烯的性能与场效应晶体管对电荷响应......
