具有高介电常数的Bi1.5Zn1.05Nb1.5O7薄膜存在氧空位和陷阱缺陷,因此,使用Bi1.5Zn1.05Nb1.5O7作为栅绝缘层的ZnO-TFTs具有高的界面......

随着电子器件和设备向着小型化、多功能化的方向发展,电子封装技术已经进入高密度的系统级封装发展阶段。系统级封装要求把包括电......

随着集成电路的飞速发展，传统的多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP)或金属-氧化物-硅衬底(MOS)结构电容由于存在寄生电容、电压线性度差等问......

针对传统二氧化硅、氮化硅等介质材料在制作MOS电容时存在电容密度低、界面特性差的问题,通过对氮离子注入、氮硅氧化实验的分析,......