电流输运相关论文
由于YBa2Cu3O7-x（YBCO）超导体独特的电学性能且和大多数钙钛矿结构铁电、介电材料具有相同的晶体结构和相近的晶格常数,把YBCO与这些......
学位
非线性系统的定向输运现象在物理,生物,化学等不同方面已成为一个十分具有吸引力的研究领域,受到学者的广泛关注.棘齿系统能够有效......
本文通过建立电阻和二极管复合网络模型，计算研究了含限流层的980nm大孔径底发射VCSEL激光器注入电流输运分布规律及其调控，以改......
通过研究垂直磁场对GaAs/AlAs/InGaAs应变RTDⅠ-Ⅴ特性的影响,从实验上解释了Ⅰ-Ⅴ负阻区"平台"现象来源于发射极子能级和量子阱子......
作为第三代半导体材料,氮化镓(GaN)由于具备高击穿电压、热导率和电子饱和漂移速度等杰出特点,使得其器件在高温及大功率方面具有......
1959年，物理学家Richard Feynman在其著名的演讲“下面的空间还很大”中说到，“如果层状结构中每一层都采用最适合的排列方式进行排......
分子电子学是当前国际研究的热点之一，对未来微电子器件的设计有重要的指导意义。分子电子学的一种重要研究问题是材料的选择--DNA......
随着信息技术的迅猛发展，用光代替电子作为信息的载体，加快信息的传递速度，已成为光通讯技术和光电子计算机发展的必然趋势。光电子信......
随着信息技术的迅猛发展，用光代替电作为信息的载体，加快信息的传递速度，已成为光通讯技术和光电子计算机发展的必然趋势。光电子信息......
GaN肖特基紫外探测器在紫外探测方面具有很多的优越性，但其异常大的漏电流，严重影响了探测器的性能和应用。本论文主要针对GaN肖特基......
本文是通过数值模拟的方法来研究p-n结二极管。模拟中几乎包含了所有在实际中影响二极管电流与电压特性的因素，如扩散区中过剩......
用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2多层膜,并对多层膜的Ⅰ-Ⅴ特性实验结果进行了拟合.分析表明,Si/SiO2多层膜的Ⅰ-Ⅴ特性由多种因素......
用射频磁控溅射法制备了超薄富硅氧化硅薄膜（ETSSO），利用Au／ETSSO／p-Si结构的I-V特性曲线对其电流输运机制进行了定性分析，从而解释了具......
用射频磁控溅射法制备了Si／SiO2多层膜，并对多层膜的FV特性实验结果进行了拟合．分析表明，Si／SiO2多层膜的I-V特性由多种因素决定。单一......
采用等离子体浸没离子注入沉积方法,在p型Si衬底上制备了具有整流特性的、非故意掺杂的以及掺氮的ZnO/p-Si异质结.非故意掺杂的ZnO......
根据有机半导体材料 PTCDA与无机半导体 p型 Si能够形成同型异质结PTCDA/p- Si,分析讨论了它在正、反向偏压作用下的能带结构及其......
用TPD作空穴传输层、8-羟基喹啉锌作发光层，制备了有机薄膜器件，测量了其电致发光特性。分析了该器件的电流输运机理，认为该有机薄膜......
在制备串联高压LED阵列工艺中,ICP刻蚀工艺引起的漏电与断路问题是高压LED电流输运特性中的核心问题。本文着重从刻蚀深度、掩模材......
为了探明GaN肖特基紫外探测器漏电流问题,提高探测器的性能,在已有的各种电流输运模型的基础上,把宽禁带的GaN基半导体材料（Eg〉3.4......
用射频磁控溅射双靶交替淀积的方法在p—Si（100）衬底上制备了Ge／SiO2薄膜，利用Au／Ge／SiO2／p—Si结构的I—V特性曲线研究了该结构的电流输......
高功率脉冲半导体激光器可以广泛应用于激光雷达、测距、医疗以及车载防撞系统中。近年来,激光测距、泵浦等系统继续向大功率、小......
