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首先分别利用直流电学法、脉冲电学法和微区拉曼光谱法测量了晶格匹配InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道温度,然后评估了各......
作为第三代半导体材料,氮化镓(GaN)由于具备高击穿电压、热导率和电子饱和漂移速度等杰出特点,使得其器件在高温及大功率方面具有......
建立适当模型对微波功率放大器芯片的单个晶体管进行温度分析,仿真结果表明,最高温度高于晶体管正常工作温度。从封装上采取措施,......
针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)沟道温度过高导致器件性能下降的问题,提出一种降低GaN HEMT沟道温度的新结构,通过优化沟......
本文介绍了Ku波段T/R组件的设计方法,主要介绍了组件的电路原理、功分网络仿真、结构与热设计并实际制作出一款Ku波段8通道T/R组件......
GaN作为第三代半导体材料，具有大的禁带宽度，高的饱和速度以及非常高的漏电流密度，导致了A1GaN／GaNHEMTs器件在高温，高功率应用方面脱颖......
