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电阻率下降相关论文

NTDFZSi片低温退火电阻率回升现象

实验结果表明ＮＴＤＦＺＳｉ片电阻率下降的幅度与硅片冷却速率有关。在由１２００℃冷却到室温的过程中，冷却速度越快，硅片电阻率下降的幅度越大。另外，样品......

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高温扩散电阻率下降低温退火硅片 NTDFZ NTDFZSi: high temperature diffussion decrease of resist

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