界面声子相关论文
近年来,宽禁带纤锌矿结构半导体如ZnO、GaN、AlN及其合金等在微电子和光电子器件中的广泛应用,已成为半导体材料领域的研究热点,其......
近年来，Ⅲ-Ⅴ族氮化物GaN、AlN、InN及其合金由于在光电子和微电子器件方面的广阔应用前景，引起了人们的极大兴趣，其中一个十分重要的......
Ⅲ-Ⅴ族氮化物GaN、InN、AlN及其合金材料是近年来半导体发光器件研究领域中的热点，其中一个十分重要的课题就是纤锌矿结构混日InGa......
研究了量子级联激光器有源核中界面声子的色散关系和静电势分布.根据有源核内部的平移不变性导出了界面声子的色散关系.计算显示有......
本文采用介电连续模型,讨论了晶格应变对材料的体光学声子频率、介电常数、禁带宽度和电子带质量的影响.对GaN/GaxIn1-xN异质结中......
近年来，宽禁带纤锌矿结构半导体如ZnO、GaN、AlN及其合金等在微电子和光电子器件中的广泛应用，已成为半导体材料领域的研究热点，其中......
根据介电连续模型和单轴晶体模型研究了纤锌矿量子阱中的界面声子模及其电声子相互作用的Fr?hlich哈密顿,我们计算和讨论了纤锌矿G......
在介电连续模型下,运用传递矩阵的方法研究多层球形异质结中的界面光学声子,得出了多层球形异质结中的界面光学声子的本征模解、色......
摘要：近年来，宽禁带纤锌矿结构半导体如ZnO、GaN、AlN及其合金等在微电子和光电子器件中的广泛应用，已成为半导体材料领域的研究热点，......
用变分法讨论了异质界面上中性施主D0的能量随垂直于界面的磁场的变化情况,计算得到此结构中D0中心的基态能量和束缚能.在此基础上......
采用赝原胞模型计算讨论纤锌矿InxGa1-xN／GaN混晶性质；基于宏观介电连续模型的传递矩阵方法研究任意层纤锌矿量子阱中的界面声子，得出......
利用变分法研究了抛物量子阱中束缚极化子的极化势、基态能量和能量移动,讨论了抛物量子阱中体纵光学(LO)声子和界面纵光学(IO)声......
采用LLP中间耦合方法，对抛物量子阱中极化子能量和电子—声子相互作用对极化子能量的影响进行了研究。计算中不仅考虑了电子与局域L......
