Ⅲ-Ⅴ族氮化物相关论文
在过去十年中,Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体在光电和电子设备技术应用已经引起了相当大的关注。其中氮化铝(AlN)与氮化铟(INN),具有较高的......
Ⅲ-V族氮化物GaN因其具有宽禁带半导体材料的典型优点而在光电器件、光探测器、新颖高性能微电子器件等领域得到广泛的应用,成为目......
该文系统介绍了Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的物理性能,生长技术和基于该材料体系的基本器件结构,并介绍了金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的......
Ⅲ-Ⅴ族氮化物GaN、InN、AlN及其合金材料是近年来半导体发光器件研究领域中的热点，其中一个十分重要的课题就是纤锌矿结构混日InGa......
以GaN和SiC材料为代表的第三代半导体材料,具有带隙宽(>2.3eV)、导热性好和电子漂移饱和速度高等优点,能用于制作耐高温、抗辐射、......
作为第三代半导体材料,Ⅲ-Ⅴ族氮化物（AlN、GaN、InN、BN）及其混晶因其在微电子、光伏器件、自旋电子等领域有着广阔的应用前景,引起......
