为了研究Ti-Si-N薄膜生长过程中界面的形成,采用第一性原理计算了在TiN(001)表面上3N-2Ti-1Si、4N-1Ti-1Si和4N-2Ti-1Si岛的各构型......

为了研究Ti-Si-N薄膜生长过程中界面的形成,采用第一性原理计算了在TiN（001）表面上3N1Ti1Si岛的各构型的总能量和吸附能,并计算了Si-......