用Si(111)上MOCVD生长的晶态AlN制备出性能良好的Al/AlN/Si(111)MIS结构,用C-V技术首次系统研究了Al/AlN/Si MIS结构的电学性质.用......

利用Al_AlN_Si(111)MIS结构电容_频率谱研究了金属有机化学气相沉积法生长的Si基AlN的AlN_Si异质结构中的电荷陷阱态 .揭示了AlN_S......

氧化物薄膜晶体管（TFT）具有迁移率高、均匀性好、透明度高、制备温度低、工艺兼容性好等优势。随着平板显示产品向大尺寸、全高清、......

界面是功能氧化物/半导体异质薄膜研究的重要内容。功能氧化物/半导体薄膜既具有以半导体载流子的场效应与输运性质,又具有氧化物......

作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,GaN基材料由于具有禁带宽度大、击穿电场强、饱和电子漂移速度大及化学性质稳定等特点,在......

近年来,随着半导体材料生长工艺的不断成熟,AIN/GaN作为Ⅲ族氮化物异质材料体系的代表,受到越来越多的关注。相对于传统的AlGaN/Ga......