肖特基接触相关论文
由于新奇独特的物理和化学性质,二维材料吸引了人们广泛的关注,且在能源储存与转换、催化、光电器件等方面具有良好的应用前景。相......
二维单层γ-石墨炔是一种具有丰富的碳化学键、良好的热电性能和半导体性能的新型全碳材料。因为特殊的分子结构和物理性质,石墨炔......
功率半导体作为半导体行业中稳定的一部分,其发展十分重要。而其中绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件,作为结合了功率金属氧化物半导体场......
随着大数据时代的到来,信息呈现爆炸式的增长趋势,传统计算机的冯·诺伊曼架构中计算单元和存储单元分离,两者之间数据交互需要消......
碳化硅（SiC）作为第三代的半导体材料因其优良的特性而成为近期研究的热门。在研究碳化硅器件时可以发现金属与半导体的接触质量会直......
石墨烯、宽禁带半导体和新型二维半导体材料都具有各自的优异的结构性质和光电特性以及广阔的应用前景,当然它们也存在各自的局限......
在沉积肖特基金属之前,对非掺的Al0.45Ga0.55N采用了不同时间的氟基等离子体处理,其中Al组分对应日盲波段。与未做氟基等离子体处......
利用金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)在SiC衬底上外延生长了N-polar GaN材料,采用传输线模型(TLM)分析了Ti/Al/Ni/Au金属体系在......
SiC是第三代半导体材料,拥有宽禁带,高击穿电场,高热导率等优势,在高温大功率、光电器件方面有着很好的应用前景。肖特基接触是金......
近年来,GaN基宽禁带半导体器件已逐渐成为半导体领域的研究热点之一。本文利用GaN基材料中AlGaN/GaN异质结材料制备水平结构肖特基......
本论文主要针对In P基相关半导体光电器件尤其是Ti W/p-In P肖特基器件和In P/In Ga As/In P PIN光电探测器的C-V特性进行了较为深......
随着信息科学的不断发展,基于新材料的半导体器件研究成为必然趋势。在各种新型半导体材料中,六方氮化硼因其宽禁带、高热导率、二......
金纳米薄膜作为温度传感器在微纳米尺度测量等领域具有广泛应用。研究金纳米薄膜电输运和热输运特性及在强磁场下的输运特性对解决......
使用OLED多元镀膜系统制备ITO/ZnPc/Al/ZnPc/Cu的垂直结构有机薄膜晶体管(VOTFTs),其中,在玻璃基板上射频磁控溅射淀积ITO薄膜作为......
以MoS2、WS2等为代表的二维过渡族金属硫化物（Transition Metal Dichalcogenides Sulfide,TMDCs）半导体材料,由于具有与石墨烯类似的......
氧化锌材料在室温下具有宽的禁带宽度（约3.37 eV）,高的激子束缚能（60 meV）,能够实现高效率的紫外光发射,是理想的紫外发光材料,在紫外......
薄膜晶体管(Thin film transistors,TFTs)作为晶体管液晶显示器件(TFTs-LCD)和主动驱动的有机电致发光显示器件(AMOLED)驱动电路的......
有机光敏晶体管是一种在有机场效应管结构中引入光控“栅极”的新型光探测器件,其光灵敏度、光响应度性能参数与源/漏电极和有源层......
针对航天一次可编程(OTP)存储器高可靠应用需求,基于电容结构和肖特基接触模型,分析得出α-SiGe∶H膜退化前电流传输机制较好地符......
第三代半导体中的典型代表碳化硅，因其具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高饱和电子速率、抗辐照等诸多优越的物理性质，使得碳......
宽禁带半导体材料金刚石以其高击穿场强,高载流子迁移率,高饱和漂移速度,最高的热导率,以及抗辐射能力强、化学稳定等特性,成......
一直以来，人们对纳米材料有着越来越浓厚的兴趣，特别是半导体纳米材料显得尤为突出。在众多纳米半导体材料中，氧化锌（ZnO）以其独特的性......
自旋电子学是现代凝聚态物理学极具研究潜力的领域之一。与传统的电子学不同，自旋电子学将电子的自旋特性和电荷特性相结合，其核心内......
随着微电子电路与元器件的尺寸不断降低至亚微米甚至纳米尺度，下一代纳米电子器件的概念应运而生。然而传统的光刻与离子注入等工艺......
在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖特基......
研究了调制掺杂 Alx Ga1 - x N/Ga N表面 Pt肖特基接触的制备工艺 ,并对其进行了 I-V测量。通过改变对样品表面的处理工艺 ,研究了......
研究了AIGaN/GaN HEMT制备中相关工艺对器件肖特基特性的影响,并对工艺进行了优化.首先研究了表面处理对器件肖特基势垒特性的影响......
给出了一种新型SiC MOSFET--6H-SiC肖特基源漏MOSFET.这种器件结构制备工艺简单,避免了长期困扰常规SiC MOSFET的离子注入工艺难度......
采用O2等离子体及HF溶液对AlGaN/GaN异质结材料进行表面处理后,Ni/Au肖特基接触特性比未处理有了明显改善,反向泄漏电流减小3个数......
研究了界面态对4H-SiC MESFET的肖特基栅接触的影响.栅接触工艺主要采用Ti/Pt/Au蒸发,经过剥离后形成.基于热电子理论提出了一种参......
通过对 Pt/ Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N肖特基二极管的 C- V测量 ,研究分析了 Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面二维电子气 (2 DEG......
在金属有机物气相外延(MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n-GaN上用Pt制成了肖特基接触,并在250～650℃范围内对该接触进行退火.通过实验......
利用三端电测量方法,研究了调制掺杂二维电子气结构的量子点器件输运特性.报道了可分别测量二维电子气电阻和量子点隧穿电阻的实验......
碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。在表面运用透明电极可以得到很高的量子效率。为了......
碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。为了研究γ辐照对碲铟汞肖特基红外探测器的影响,......
在以MOCVD生长的未掺杂的n—Al0.3Ga0.7N上用Au制成了MSM结构的紫外光伏二极管。在M氛围下以不同温度对器件进行了退火实验，退火时......
基于共振隧穿二极管（RTD）的电流．电压方程，结合对肖特基栅型共振隧穿三极管（SGRTT）物理机制的分析和计算，推导出了SGRTT器件的器件模型。......
采用真空蒸镀与溅射工艺,以酞菁锌（ZnPc）为有源层制备了叠层结构的氧化铟锡（ITO）/ZnPc/铝（Al）/ZnPc/铜（Cu）有机光电三极管.Al与两侧的ZnPc......
通过I-V测量研究了AlGaN／GaN异质结构上的肖特基接触与温度的关系．在室温下肖特基势垒高度为0．75eV，理想因子为2．06．温度升高，肖特基势垒......
提出了一种CaN薄膜电学参量测试新方法．该方法基于双肖特基结二极管结构，利用非对称的电极图形获取整流特性，从而省去了复杂的欧姆接......
研究了界面态对4H-SiC MESFET的肖特基栅接触的影响．栅接触工艺主要采用Ti／Pt／Au蒸发，经过剥离后形成．基于热电子理论提出了一种参数提......
采用一维微光电子结构分析模型（AMPS-1D）软件模拟分析了由TiO2纳米晶薄膜与PbS量子点薄膜组成的平面异质结激子太阳电池中电极功函数......
通过在GaN缓冲层上先生长一层20nm厚的AIN插入层，成功地在此插入层上生长出了200nm厚的AlxGa1-xN（0．22〈x〈0．28）材料。研究并优化了Alx......
研究了不同的干法刻蚀以及氧气等离子体处理条件对 AlGaN表面特性的影响.在合适的条 件下,氧气等离子体处理可以使 AlGaN表面发生......
碳化硅绝缘栅双极晶体管(SiC IGBT)不仅具有SiC材料临界击穿场强大、击穿电压高、工作频率快等优点,而且还具备了IGBT器件易驱动、......
现如今柔性应变传感器越来越受到人们的关注。纱线作为一种柔性材料,因其具有质地轻薄、常见易得、韧性良好、机械性能稳定、易吸......
