直流电流增益相关论文
基于器件结构特点和电学特性,研究了影响SiGe HBT（异质结双极晶体管）直流电流增益的主要因素,分析了不同的电流密度条件下,器件的物......
在对InGaP／GaAs HBT特性的研究中发现，发射极长边与主对准边垂直([011]方向)和平行([011]方向)放置时，其直流电流增益和截止频率是不......
