本文使用IERS(干涉增强喇曼散射),TEM和SIMS等方法研究了Pd/a-Si:H界面反应的热退火行为,发现Pd/a-Si:H界面在室温下形成非晶互混......

利用真空热退火的方法,研究了单晶InP方形纳米孔阵列退火后的形貌和晶相等特征。发现随着退火温度的不断升高,单晶InP中P的挥发性......

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属-半导体-金属(MSM)交叉指型肖特基紫外探测器.研究了真空热退......

研究了超高真空电子束蒸发法制备的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治结构中巨磁阻效应及其温度特性。结果表明：通过优化Ｃｒ过渡层厚度，可获得室温下饱和磁场小于３００Ｏｅ，巨......

氮化镓(GaN)基宽禁带半导体材料是制备高温、高功率、高频电子器件以及发光管、紫外探测器等光电子器件的重要材料.GaN基发光管在......

利用真空热退火的方法,研究了单晶InP方形纳米孔阵列退火后的形貌和晶相等特征。发现随着退火温度的不断升高,单晶InP中P的挥发性......