砷化镓集成电路相关论文
报道了对ＬＥＣ法生长的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热稳定性检测结果，在８００℃以上温度条件下退火，发现ＧａＡｓ单晶的热稳定性不但与处理的条件有关，还与单晶中杂质Ｃ的含量有关......
近年来，由于砷化镓集成电路（GaAsIC）的高速发展，对高质量的SI－GaAs单晶的要求越来越高，现已成为GaAsIC制造技术的关键之一。电子部南京电......
介绍了一个在ＳＵＮ工作站上自主开发的砷化镓集成电路ＣＡＤ系统。该系统可完成微波、毫米波集成电路ＣＡＤ及砷化镓超高速数字集成电路ＣＡＤ。应用该系统......
正当VLSI Technology公司(位于美国加州的San Jose)的0.20μmVSC10工艺的生产线刚刚开始满负荷生产的时候,公司紧接着就宣布了它......
深圳市贝光通信科技有限公司、矽感科技(深圳)有限公司、矽感微讯光电科技(深圳)有限公司及 Fast Investments Holdings Ltd 等四......
ANADIGICS(安吉利)在昆山高新技术产业园区(KSND)为其最新一条6英寸砷化镓集成电路晶圆制造厂——安吉利半导体(昆山)有限公司举行......
使用镓、铝、砷等化合物半导体的电极材料主要用金。用于数字计算机的音频磁盘和视频磁盘输入信号、输出信号使用的镓铝砷激光
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1986年,仍处于兴旺的电子工业中的固态电子元件用量有所增加,反映出镓在这个领域内的消费量有更大的增长,特别是用于砷化镓集成电......
在国防部的甚高速集成电路及微波/毫米波集成电路的规划中,引入正在研制的先进元件将起到为雷达开创一种新的分布系统总体结构的......
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砷化镓集成电路不仅用于高速逻辑电路,在模拟元件设计方面,也正处在这样一个引人注目的革命边缘:整个射频分系统不久将做在一个微......
工作报告期页在管壳柯伐柱上敷铝—以铝-铝系统代替金-铝系统……一(19)提高平行缝焊封帽合格率的初步探讨……一(23)混合集成电路......
本文介绍GaAsIC的开发情况,并对几种GaAsIC的特征结构作一比较。首先,介绍GaAs逻辑电路、存储器和线性电路的开发情况,并阐述高电......
一、引言对于砷化镓的电极金属正在大力进行研究。特别是由柯克斯等人所研究的 In-Ag-Ge 合金,甚至对低浓度的 N 型砷化镓也显示......
据《Journal of Electronic Defense》1987年10卷4期报道:由Hughes等研制的砷化镓芯片运行的时钟速率达18GHz。这种超高速电路分......
美国德克萨斯仪器公司开始销售砷化镓单片微波集成电路(MMIC)和砷化镓场效应管样品.另外也开始数字砷化镓集成电路等研究工作.在......
砷化镓集成电路在这十年间由于器件基本结构、材料生长技术等的迅速发展,已达到实用化的阶段。现以器件结构为中心,对最近砷化镓......
哈里斯微波半导体公司声称,它已生产出采用砷化镓工艺的世界首批商品化数字集成电路。器件的速度高达目前最快的硅基集成电路的五......
一、前言与Si相比较,GaAs有许多独特的优点,因此,在最近几年里,GaAsIC的开发有了飞速的进展。在高速IC方面,已有集成度为每个芯片......
1987年IEEE砷化镓集成电路会议于1987年10月13日至16日在美国俄勒岗州波特兰市的希尔顿饭店召开,来自美、日、英、法和中国等国的......
设计S波段相控阵雷达发射-接收组件,其重点在设计可与微波单片集成电路结构相容的射频元件。
Design S-band phased array radar ......
本文评述了 GaAsLSI 的性能和加工工艺。最近,应用无位错 LEC 单晶和步进重复的精细光刻,在 2in 晶片内将 FET 闽值电压标准偏差降......
本文报道了钨硅化物-砷化镓Schottky接触的形成过程和电学特性.实验表明,WSi_x/GaAs Schottky接触具有优越的I-V特性,势垒高度保持......
砷化镓集成电路(GaAsIC)是微电子发展的重人新领域。本文将介绍其特点、主要方向和用途。重点介绍砷化镓集成技术基础研究对发展......
微波半导体公司(MSC)已经把自己的多系列传统微波器件扩大到包括用于光纤方面的砷化镓集成元件。这意味着,您可以把您的光纤系统......
目前,各种发展着的信号处理方法间的竞争仅仅开始,预计超大规模集成电路(VLSI)、表面声波器件(SAW)、电荷耦合器件(CCD)与砷化镓集......
随着科学技术的发展,通信业也发展迅猛。光纤通信以保密性好,价格低廉等重要优点深受同仁们的青睐。因光纤通信中电路设计是整个光......
该文从多方面分析了导致砷化镓集成电路产业快速起步的市场需求和技术推动，预测了它进一步发展的光明前景，最后对发展我国砷化镓集成......
本文重点论述ＧａＡｓＩＣＣＡＤ方法，包括：精确的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＨＢＴ等有源器件模型；大、小信号模型参数提取；噪声模型；成品优化；高频、高速微带传输线模型；电路模拟与优化......
Mentor Graphics公司日前宣布，宏捷科技股份有限公司（AWSC）已经选择Calibre nmDRCTM和nmLVSTM产品作为其针对手机和其他无线应用中砷......
作为第２０届盛会，１９９８年ＩＥＥＥ砷化镓集成电路国际会议于１１月１日至４日在美国佐治亚洲首府亚特兰大市的ＷｅｓｔｉｎＰｅａｃｈｔｒｅｅＰｌａｚａＨｏｔｅｌ举行，赴会者超过３００人。正式会议共３天，除大会报告外，分......
<正> 砷化镓集成电路(GaAs IC)近年来商业化空前火爆,其应用领域不断扩展。过去几年由于移动通信的发展,推动了GaAs IC的市场不断......
7月9日，ANADIGICS（安吉利）在昆山高新技术产业园区（KSND）为其最新一条6英寸砷化镓集成电路晶圆制造厂——安吉利半导体（昆山）有限公司举行......
<正> 据报道,美国Convex 计算机公司最近宣布,世界上第一台采用30种砷化镓门阵列集成电路设计和由2000兆软盘运行系统的C 3800计算......
<正> 砷化镓集成电路(GaAs IC)近年来商业化空前火爆,其应用领域不断扩展。过去几年由于移动通信的发展,推动了GaAs IC的市场不断......
