硅漂移探测器相关论文
硅漂移探测器（SDD）基于侧向耗尽原理于1983年被提出,主要应用于高能物理和粒子物理实验、能谱分析以及航天航空领域。传统SDD一般具......
硅半导体探测器由于其具有优良的物理性能,被广泛的应用于航天航空和医学等各个领域。本文主要研究了应用于航天航空领域的硅漂移......
X射线脉冲星导航是航天器实现高精度自主导航的重大战略发展方向,属于航空航天科学技术的热点研究领域。硅探测器主要用于探测收集......
能谱仪作为扫描电镜进行成分分析的重要附件,已经得到非常广泛的应用.随着半导体技术和应用领域的拓展,近年来在能谱探测器上取得......
硅漂移探测器是一种高灵敏度，高分辨率、高计数率的X 射线探测器，该探测器采用侧向耗尽原理，光生载流子在器件内部通过横向漂移进行收......
采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm2的硅漂移探测器(SDD)。这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结......
A new statistical fitting approach,named Statistical Distribution-Based Analytic(SDA)method,is proposed to fit single Ga......
硅漂移探测器(Silicon Drift Detector,SDD)对1～10keV软X射线具有较高的探测效率和较高的能量分辨,将其应用于X射线脉冲星导航......
硅漂移探测器(Silicon Drift Detector,SDD)作为一种新型半导体辐射探测器,具有低电容、低噪声、响应时间快、能量分辨率高等优势,......
近年来,X射线脉冲星导航系统已成为全球各航天大国的研究热点。高速X射线探测器是脉冲星导航系统中的重要器件,高速X射线探测器的......
硅漂移探测器(Silicon Drift Detector,SDD)作为一种高性能的X射线探测器在航天、核工业、医疗、安检等各个领域有着广泛而重要的......
在2005年HL-2A实验中,我们首次采用两通道硅漂移探测器(Silicon Drift Detector,SDD)软X射线能谱系统对等离子体电子温度进行了测......
硅漂移探测器(Silicon Drift Detector,SDD)中电荷包的漂移时间(μs·cm?1)与粒子入射位置到读出电极距离有关,而且通常不能直接测......
随着微电子技术快速进步，半导体辐射探测器因其位置分辨率好、能量分辨率高、线性范围宽、体积较小和脉冲响应时间较快等优点得到了......
衍射强度是粉末X射线衍射仪的最重要的性能指标之一,提高衍射强度对X射线衍射分析具有重要的意义.本工作将硅漂移探测器(SDD)集成......
会议
硅漂移探测器(SDD)是一种广泛应用于X射线探测，实验核物理和天体物理等领域的半导体探测器。在十二五空间探测规划中，国家希望建立大......
硅漂移探测器(SDD，SiliconDriftDetector)的电容很小，一般为100fF～200fF。该电容主要由探测器的收集阳极面积决定，与整个探测器的有源......
本论文研究了一种正面入射硅漂移雪崩探测器(ADD),该探测器是在德国马普研究所背面入射硅漂移雪崩二极管基础上提出的。硅漂移雪崩......
粒子激发X射线谱仪(APXS)是嫦娥三号巡视器的有效载荷，是一台以放射性同位素作为激发源、以硅漂移探测器(SDD)作为X射线探测器的X射......
采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm2的硅漂移探测器(SDD).这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结......
光伏硅杂质元素分析仪是基于能量色散谱仪的工作原理,研制开发的由硅漂移探测器和数字脉冲处理器以及双靶激发系统组成的X荧光类分......
在磁约束聚变装置中，对等离子体电子温度的测量一般采用电子回旋辐射法（ECE）、汤姆逊散射法以及软X射线能谱法。其中软X射线（1～20keV）能......
磁约束聚变装置中，利用高温等离子体自身辐射的X射线作为诊断工具，为测量等离子体重要的物理参数和热核聚变研究提供了便利的诊断手......
为实现能量色散x荧光（EDXRF）技术对元素含量的无标样分析，建立了基本参数法（FP法）数理分析模型，并计算得到了模型中质量吸收系数（斗）、激发......
采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm^2的硅漂移探测器（SDD）。这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结......
依据基本参数法（FP法）无标样分析原理建立了数理模型，计算得到了模型中质量吸收系数（μ）、激发因子（E）等关键参数，并将其应用于能量色散x荧......
为了掌握五款国产x射线脉冲星导航探测器的性能，2015年6月至2016年5月，我们系统地组织并完成了多类型x射线脉冲星导航探测器的测试工......
光伏硅杂质元素分析仪是基于能量色散谱仪的工作原理,研制开发的由硅漂移探测器和数字脉冲处理器以及双靶激发系统组成的X荧光类分......
利用热释电晶体实现了一个X射线激发源,并以此激发源和高能量分辨率的硅漂移探测器构建了一个X射线荧光分析谱仪。首先通过分析计......
在高计数率背景下,采用数字慢三角成形处理算法的高性能硅漂移探测器X荧光光谱全能峰受到伪峰严重干扰。介绍了一种新型的剔除伪峰......
采用性能优越的15道硅漂移探测器（SDD）阵列,在EAST全超导托卡马克上建立了1套较为完善的软X射线能谱诊断系统,用以测量等离子体在软X......
本文设计了一种半实物实验系统,能模拟出航天器在地球轨道及深空飞行时接收脉冲星周期X射线信号的情形.该系统主要由动态信号数据......
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用软X射线脉冲高度分析(PHA)阵列系统获得了等离子体的电子温度剖面和电子速率分布的时间演化。测量结果表明,电子温度剖面在OH阶......
利用硅漂移探测器测量不同元素的标识X射线,验证莫塞莱定律,计算屏蔽系数并解释其变化规律.利用不同厚度的镍吸收片做铜的标识X射......
硅漂移探测器(SDD)因能量分辨率高和计数率高广泛应用于X射线的探测分析。阐述了同心圆环结构的圆柱形硅漂移探测器的工作原理,基......
为适应硅漂移探测器X射线衍射仪的需求,设计了数字多道系统。该系统采用直接采样的电路结构,不改变输入信号形状,将信号直接由模数......
采用最新的SDD探测器阵列测量HL-2A托卡马克等离子体软X射线(1～20keV)辐射的能谱,获得电子温度、Zeff、重金属杂质含量绝对值及其时......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
利用热释电晶体实现了一个X射线激发源,并以此激发源和高能量分辨率的硅漂移探测器构建了一个X射线荧光分析谱仪。首先通过分析计......
由于高能电子辐射的长期照射,新一代太阳X射线探测器硅漂移传感器的探测性能可能发生变化.通过用电子放射源模拟空间电子对硅漂移......
