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碳化硅单晶片相关论文
SiC单晶片化学机械研磨试验研究
目的提高Si C单晶片的材料去除率,改善加工后的表面质量。方法进行研磨液试验,利用极差法得到研磨液的最优配比和研磨液成分中影响......
期刊
化学机械研磨
研磨液
碳化硅单晶片
材料去除率
表面质量
chemical mechanical lapping
grinding liquid
SiC s
固结磨料研磨SiC晶体基片研究
碳化硅晶体基片具有优良的电子和物理特性,如导电性能好、导热性能好、禁带宽度大、临界击穿场强高等,成为最具有发展前景的半导体材......
学位
碳化硅单晶片
研磨
固结磨料研磨盘
材料去除率
表面粗糙度
平面度
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