化学机械研磨相关论文
随着技术节点按照摩尔定律持续降低,特征尺寸进一步缩小,后段集成工艺普遍引入低介电介质材料的多层铜互连工艺以降低Rc延迟带来的......
阐述嵌入式非易失性存储器芯片制造流程中的多晶硅化学机械研磨(CMP)后清洗工艺对随后的多晶硅蚀刻工艺的影响。研究发现CMP的后清......
集成电路的制造流程中,随着工艺节点的不断进步,化学机械研磨正变得越来越重要。而化学机械研磨是非常依赖于图形的一种工艺,在后......
使用有机硅酸盐玻璃(OSG)在铜制程中作为低介电系数的介电层,使得化学机械研磨(CMP)后的晶圆清洗成为一大挑战.由于OSG的甲醇高含......
针对化学机械研磨(CMP)过程非线性、时变和不易在线测量的特性,提出了基于径向基函数(RBF)神经网络和微粒群(PSO)算法的CMP过程run......
化学机械抛光CMP工艺是集成电路制造的核心技术,90%以上的高端CMP机台设备和抛光液、抛光垫等关键耗材均被国外供应商垄断。阐述CM......
在全球半导体行业化学机械研磨（CMP）技术及创新方面处于领先地位的罗门哈斯电子材料公司CMP技术事业部最近宣布其Vision Pad^TM研磨......
针对化学机械研磨(CMP)过程非线性、时变和产品质量不易在线测量的特性,提出了一种基于T-S模糊模型的CMP过程智能run-to-run(R2R)......
针对STI表面极微小氧化物残留缺陷,探索了应用电压衬度检测缺陷的方法,建立了缺陷监控指标,并据此评估了缺陷的改善方案。对缺陷检......
为了解决多输入多输出和产品质量不易在线测量的化学机械研磨(chemical mechanical polishing,CMP)过程R2R(run-to-run)控制的难题......
目的提高Si C单晶片的材料去除率,改善加工后的表面质量。方法进行研磨液试验,利用极差法得到研磨液的最优配比和研磨液成分中影响......
陶氏化学公司旗下的陶氏电子材料事业群推出量产化的KLEBOSOLⅡ1730，这是一种应用于化学机械研磨（CMP）工艺的胶粒二氧化硅研磨液。在......
化学机械研磨（CMP）被广泛用于铜镶嵌工艺,研磨后铜的厚度和表面形貌对65纳米以下的工艺显得越来越重要,厚度和形貌的变动会对芯片良......
陶氏化学公司旗下的陶氏电子材料事业群推出量产化的KLEBOSOLⅡ1730,这是一种应用于化学机械研磨（CMP）工艺的胶粒二氧化硅研磨液。......
在深亚微米尺寸的集成电路设计中,可制造性设计变得越来越重要。从180 nm时代开始,铜互连代替铝已成为趋势,但是铜在制造工程中难......
介绍了基于化学机械研磨（CMP）工艺，在Unix和SDT的开发环境下，用VB、C语言在Client和DB（Data Base）之间建立APC SDT Server的方法，以及创建......
随着集成电路制造技术的不断发展,晶圆尺寸越来越大,集成度越来越高,特征尺寸越来越小,所以对多层铜互连阻挡层化学机械研磨中产生......
通过研究金属钨化学机械研磨（WCMP）后清洗的一种水痕状的缺陷（Watermarklikedefect），经过一系列的实验，我们发现这种缺陷产生的原因是具......
针对化学机械研磨(chemical mechanical polishing,CMP)过程非线性、时变、产品质量不能在线测量的特性,为了提高CMP过程R2R(Rum-t......
半导体芯片的制造产业中,为了提高芯片产量降低单个芯片的制造成本,使用的硅片尺寸不断增大,直径300mm的硅片在半导体制造中已经普......
中国上海-2008年1月30日-在全球半导体行业化学机械研磨（CMP）技术及创新方面处于领先地位的罗门哈斯公司电子材料CMP技术事业部近日......
半导体代工厂化学机械研磨(CMP)研磨液的主要成分为二氧化硅(SiO2)颗粒,排放废水中也含有SiO2。此物质会造成悬浮物(SS)偏高,在14~......
随着IC产业的迅猛发展，电子器件的最小尺寸正在变得越来越小。当前，45nm工艺的芯片已经能够被大量的生产。众所周知，器件的最小尺寸主......
以游离磨粒研磨膏为主的不锈钢片研磨实验中,选取不同粒径的金刚石、白刚玉和碳化硼作为磨料分析其在研磨中所起的作用,经实验得出......
铜作为新的互连材料被引入集成电路的制造之后,以及大马士革工艺的采用,带来了新的工艺挑战。铜在化学机械研磨面临的铜腐蚀问题使......
浅沟槽隔离技术(Shallow Trench Isolation,STI)以突出的隔离性能,平坦的表面形貌,良好的锁定性能以及几乎没有场侵蚀,已经成为深......
随着微电子技术行业的迅猛发展,作为制造微电子芯片最常用的半导体材料——单晶硅片,其精密及超精密加工技术也越来越被受到重视。......
集成电路进入纳米时代,集成电路设计技术和制造技术联系紧密。在芯片制造和良率逐渐触及物理瓶颈的今天,集成电路制造技术在不断挑......
随着现代超大规模集成电路(VLSI)的不断发展,互连线对时序的影响也越来越大。在SoC(片上系统)设计中,对性能和功耗的要求也在不断......
厂务的气体、化学(包括CMP研磨液系统)和纯水系统为整条生产线提供气体、化学品和纯水,它们与芯片直接接触,所以被称为制程相关系......
