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碳化硅界面相关论文

氮钝化SiC MOS界面特性的Gray-Brown法研究

降低SiO2/SiC界面态密度,尤其是SiC导带附近的界面态密度,是SiC MOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体钝化处理SiO2/SiC界......

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二氧化硅碳化硅界面金属氧化物半导体电容氮钝化界面态密度 Gray-Brown法 SiO2/SiC interface MOS capacitor n

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