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碳化硅（SiC）是一种耐腐蚀、抗氧化，耐高温的宽带隙半导体材料，其纳米材料具备独特的理化性能，在基础研究以及纳米器件、光子器件、复合......
碳化硅纳米材料不仅具有一般纳米材料良好的物理和化学性质，而且还具有宽带隙、高硬度、高热导率等其它优良特性，使其在半导体器件、......
半导体材料由于在解决环境污染及能源危机上表现出的巨大潜力,而成为当今世界的研究焦点和热点。半导体纳米材料不仅具有块体材料......
