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氮化铝(AIN)由于具有电阻率高(10Ω·cm)、硬度高、热导率高、化学稳定性好等特点,近年来引起国内外广泛的关注。同时,氮化铝(AIN)还......
Y原子的引入能大大提高α-Al2O3多晶材料的抗蠕变性能,用电弧离子镀工艺制备致密的Y-Al-O薄膜有望用作等离子刻蚀工艺中的防护......
利用磁过滤电弧离子镀技术在单晶Si基体表面沉积了类金刚石薄膜,研究了工作气压和偏压占空比对DLC薄膜表面形貌、沉积速率和成键情......
AlN薄膜具有一系列优异的物理与化学性能,其禁带宽度为6.2eV,是所有Ш-V族半导体材料中禁带宽度最宽的直接带隙半导体材料,带间跃......