氮化铝薄膜相关论文
无机非金属材料在人们日常生活以及高新技术发展中扮演了至关重要的角色,本文针对无机非金属材料在非线性光学以及第三代半导体材......
我们采用多模式的MOCVD生长方法在蓝宝石衬底上成功的制备了高质量的AlN薄膜。在材料外延过程中,采用了渐变模式、正常模式和脉冲......
二元氮化物根据四面体中原子的排列顺序不同,可将晶体结构分为三种:纤锌矿结构(WZ),闪锌矿结构(ZB)和岩盐矿结构.其中六方纤锌矿Ⅲ......
作为一种宽禁带半导体材料,由于氮化铝其特殊的物理和化学性质,其在真空电子器件方面的应用已经得到广泛的关注.据文献报道,氮化铝......
用脉冲激光沉积(PLD)方法,在p-Si(100)衬底上室温下不同氮气(N2)氛围中制备了高度取向的氮化铝(AlN)薄膜,并利用X射线衍射仪、傅立......
采用激光分子束外延技术，相同的实验条件下分别在Si(111)、sapphire (0006)和MgO(111)衬底上外延出极性纤锌矿结构AlN薄膜。XRDθ-2......
本文报道用直流平面磁控溅射法在Si片上生长c轴高度择优取向AIN薄膜的光学特性.俄歇谱分析表明薄膜是高纯的.从红外吸收光谱上分析......
为了解决水下声学传感器技术领域中一直存在的提高低频响应灵敏度方面的迫切需求,本文利用氮化铝新型氮化铝敏感材料与声传感器设......
在日益重视海洋资源探索与开发的当下,水听器的发展越来越受到国家的重视。而随着海洋信息采集对于水听器低功耗、低成本、小型化......
微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System MEMS)是指可以批量制造的微设备或系统,主要包含微机械,微传感器,微执行器以及信号......
采用直流磁控反应溅射方法 ,在Si(111)基片上成功地沉积了表面粗糙度小、组成均匀、以 (10 0 )面和 (0 0 2 )面择优取向的AlN薄膜 ......
采用射频磁控反应溅射法在化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)的金刚石衬底上制备了AlN薄膜以及AlN/Si和AlN/Ge膜。通过......
本文采用射频分子束外延(RF-MBE)方法生长了氮化铝薄膜，并定量表征了其缺陷情况。结果表明，保持富Al条件，并通过适当提高生长温度......
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研究了氮化铝薄膜对LED灯散热情况的影响,并与导热硅脂(KS609)涂层的散热效果进行了比较,结果表明：导热涂层能加强LED的散热,氮化铝......
本文介绍了AlN薄膜物理性质及制备方法；综述了AlN薄膜作为薄膜电致发光(TFEL)器件发光层的研究现状；对AlN薄膜的发光性能的应用......
将脉冲激光沉积与ＥＣＲ微波放电等离子体结合，进行了制备化合物薄膜的初步尝试，合成沉积了氮化硅、氧化硅、氮化铝薄膜。采用俄歇电子能谱......
通过磁控溅射系统,在单晶硅片上制备了六角氮化铝薄膜;改变溅射气压,也得到了垂直基底与平行基底的两种取向;取向生长的原因在于溅......
随着无线电通信频带占用日益紧张，性能优良的声表面波器件正朝着高频化发展，高频声表面波“压电材料/金刚石”多层膜基片体系的研究......
润滑对于机器很重要，润滑油膜可以降低接触零件间因相互运动造成的摩擦和磨损，这层油膜通常很薄，当油膜失效时，接触表面会急剧升温并加......
本文主要进行了基于AlN(氮化铝)薄膜MEMS压电超声换能器(Piezoelectric Micro-machined Ultrasonic Transducer,PMUT)的设计和应用......
氮化铝(AIN)由于具有电阻率高(10Ω·cm)、硬度高、热导率高、化学稳定性好等特点，近年来引起国内外广泛的关注。同时，氮化铝(AIN)还......
氮化铝（AlN）薄膜具有很多突出的物理化学性质，如高折射率、高光学透射比、化学稳定性好等特点，近年来倍受国内外广泛的关注。氮化铝薄......
采用新的A1N制备方法——反应离子镀(RIP)制备氮化铝薄膜。 将真空镀膜机改造成可以进行反应离子镀的多用沉积炉。 在真空条......
AlN作为一种氮化物硬质薄膜，具有优异的物理及电学性能，在集成电路的封装和半导体器件等领域极具应用潜力，因此在使用过程中AlN的稳定......
利用自主研制的等离子体辅助反应蒸镀法(PERE)实现了AlN薄膜的高速沉积。工艺研究表明,薄膜最佳沉积工艺参数为工作压强1.2Pa、轰......
学位
随着无线通信的迅速发展，数据通信的中心频率提升到GHz以上，而射频滤波器，作为通信系统中信号处理的一个重要部件，越来越引起人们的关......
由于AlN晶体的各向异性，因此一般相信(100)取向比(002)取向的AlN薄膜更有利于声表面波传播。然而，许多研究者认为(100)取向的AlN薄膜......
氮化铝(AlN)薄膜由于具有较宽的带隙、较高的声表面波波速、优异的压电性能、较高的热稳定性和抗腐蚀性,在紫外光发射、光检测和声......
在这篇论文中,AlN薄膜是由中频脉冲磁控溅射制备,主要考察了不同衬底温度和退火温度对AlN薄膜结构和性能的影响,特别研究了AlN薄膜......
随着社会的高速发展，信息科技对高性能器件的迫切需求直接推动着相关材料的发展。氮化铝是Ⅲ-Ⅴ族中具有较宽直接带隙(禁带宽度6.2e......
近些年,随着各国研究机构对AlN薄膜应用领域的大力拓宽,AlN薄膜也被应用在了SAW传感器领域,而且也已经出现了很多相关研究的报道。......
AlN薄膜由于声表面波传输速度快、压电性能良好、透明且禁带宽度大、热稳定性及抗腐蚀性能好等优异性质而在压电器件、光学器件、......
随着无线通讯技术水平的提高，无线通讯系统对于选频器件的需求日益朝着微型化、低功耗、高集成的方向发展，传统的射频器件已逐渐不能......
AlN是一种宽禁带半导体材料，其禁带宽度是6.2eV，有着击穿电压高、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强等特点，在通信、电力电子、航空航......
近年来，随着稀土掺杂Ⅲ-V化合物半导体在薄膜电致发光器件、光纤通信和其他光电器件领域的潜在应用，稀土掺杂特别是Er的掺杂引起了世......
近年来，随着社会的高度信息化，表面声波器件已经被大量用于日常生活中，如卫星通讯、网络通讯及无线通讯等，而对于轻薄短小高频元器件的......
AlN是一种性能优异的压电、介电材料，具有纤锌矿结构，属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。氮化铝具有高硬度，高抗击穿场强(14MV/cm)、高热......
随着个人通讯系统(PCS)的迅猛发展，通讯设备中心频率的提升成为一个引人关注的问题。当前，操控频率已经提高到GHz级别，介质滤波器和声......
固态微型谐振器的工作频率高、功率容量大、损耗低、体积小，是目前有望集成的射频滤波器技术，正成为国内外研究的热点。压电材料的选......
AlN材料以其高禁带宽度、击穿电场强、热导率高和高紫外透过率等优越的物理、光学和电学性质,在大功率器件、耐高压器件、高温器件......
近年来,移动通信迅猛发展,使无线电通信频带成为一个有限而宝贵的自然资源。因此它们需要更大的无线频谱宽度和向高频方向发展。声......
该文综述了氮化铝(AlN)的结构、能带、应用以及常用的制备方法,介绍了中频脉冲磁控溅射技术在镀膜中的应用.研究了采用中频脉冲磁......
AlN 薄膜具有很多优异的特性。由于其化学稳定性高、热传导率高、机械强度高、电绝缘性能佳、高能隙、热膨胀系数低，所以可用于大功......
本文采用射频反应磁控溅射技术,利用高纯A1靶(99.99%)作为溅射靶材,以高纯Ar、N。分别作为溅射气体和反应气体,在Si(111)基片上制......
