氮化铝薄膜相关论文
无机非金属材料在人们日常生活以及高新技术发展中扮演了至关重要的角色,本文针对无机非金属材料在非线性光学以及第三代半导体材......
本文报道用直流平面磁控溅射法在Si片上生长c轴高度择优取向AIN薄膜的光学特性.俄歇谱分析表明薄膜是高纯的.从红外吸收光谱上分析......
在日益重视海洋资源探索与开发的当下,水听器的发展越来越受到国家的重视。而随着海洋信息采集对于水听器低功耗、低成本、小型化......
微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System MEMS)是指可以批量制造的微设备或系统,主要包含微机械,微传感器,微执行器以及信号......
随着无线电通信频带占用日益紧张，性能优良的声表面波器件正朝着高频化发展，高频声表面波“压电材料/金刚石”多层膜基片体系的研究......
润滑对于机器很重要，润滑油膜可以降低接触零件间因相互运动造成的摩擦和磨损，这层油膜通常很薄，当油膜失效时，接触表面会急剧升温并加......
本文主要进行了基于AlN(氮化铝)薄膜MEMS压电超声换能器(Piezoelectric Micro-machined Ultrasonic Transducer,PMUT)的设计和应用......
氮化铝(AIN)由于具有电阻率高(10Ω·cm)、硬度高、热导率高、化学稳定性好等特点，近年来引起国内外广泛的关注。同时，氮化铝(AIN)还......
氮化铝（AlN）薄膜具有很多突出的物理化学性质，如高折射率、高光学透射比、化学稳定性好等特点，近年来倍受国内外广泛的关注。氮化铝薄......
随着无线通信的迅速发展，数据通信的中心频率提升到GHz以上，而射频滤波器，作为通信系统中信号处理的一个重要部件，越来越引起人们的关......
SOI(Silicon-on-Insulator)材料,即绝缘体上的硅材料,被国际上公认为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础。它能突破体硅材料的诸......
由于AlN晶体的各向异性，因此一般相信(100)取向比(002)取向的AlN薄膜更有利于声表面波传播。然而，许多研究者认为(100)取向的AlN薄膜......
氮化铝(AlN)薄膜由于具有较宽的带隙、较高的声表面波波速、优异的压电性能、较高的热稳定性和抗腐蚀性,在紫外光发射、光检测和声......
随着社会的高速发展，信息科技对高性能器件的迫切需求直接推动着相关材料的发展。氮化铝是Ⅲ-Ⅴ族中具有较宽直接带隙(禁带宽度6.2e......
近些年,随着各国研究机构对AlN薄膜应用领域的大力拓宽,AlN薄膜也被应用在了SAW传感器领域,而且也已经出现了很多相关研究的报道。......
AlN薄膜由于声表面波传输速度快、压电性能良好、透明且禁带宽度大、热稳定性及抗腐蚀性能好等优异性质而在压电器件、光学器件、......
AlN材料以其高禁带宽度、击穿电场强、热导率高和高紫外透过率等优越的物理、光学和电学性质,在大功率器件、耐高压器件、高温器件......
近年来,移动通信迅猛发展,使无线电通信频带成为一个有限而宝贵的自然资源。因此它们需要更大的无线频谱宽度和向高频方向发展。声......
AlN 薄膜具有很多优异的特性。由于其化学稳定性高、热传导率高、机械强度高、电绝缘性能佳、高能隙、热膨胀系数低，所以可用于大功......
本文采用射频反应磁控溅射技术,利用高纯A1靶(99.99%)作为溅射靶材,以高纯Ar、N。分别作为溅射气体和反应气体,在Si(111)基片上制......
由于氮化铝AlN薄膜具有稳定的物理性质和化学性质、机械强度高、绝缘性能又好、直接带隙宽、热传导率高、低热膨胀系数等特点，广泛......
采用中频磁控反应溅射工艺进行了氮化铝薄膜的制备,对沉积速率、晶体结构和表面形貌与氮气流量和溅射功率之间的变化关系进行了研......
氮化铝(AIN)薄膜不同的择优取向直接影响其压电性和声波传递速度.本文通过改变衬底补偿温度对AIN薄膜的择优取向进行了研究.在正常......
采用高纯铝靶和氮/氩混合气氛,在玻璃衬底上用直流反应磁控溅射法制备了AlN薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)分析了不同衬底温度下样品......
采用反应磁控溅射法结合加热控温电源,在光学玻璃基底上制备氮化铝(AlN)薄膜,通过X射线衍射(XRD)技术对薄膜样品物相结构进行分析,......
综述了各种沉积奈件对磁控溅射技术生长氮化铝薄膜的微观结构，电学以及光学性能的影响。采用磁控溅射技术，可以选用在适当的条件下制......
采用平衡分子动力学方法（EMD）研究了平衡温度为300K的氮化铝薄膜的法向热导率．利用stillinger-Weber势函数以及Green—Kubo线性响应理......
将科研成果转化为研究型本科实验教学内容,设计了不同极性AlN薄膜的制备及表征综合实验。采用金属有机化学气相沉积方法制备混合极......
采用射频磁控溅射方法，在n型（100）Si基底上沉积了不同厚度（20～150nm）纤锌矿结构的纳米A1N薄膜。在超高真空系统中测量了不同膜厚样品的场......
采用反应磁控溅射法在不同工作气压（0.5～2.0Pa）下沉积了一系列氮化铝（AlN）薄膜。研究发现,在保持其他工艺参数不变的条件下,工作气压对......
采用直流磁控反应溅射，在Pt电极上沉积了A1N压电薄膜，并制备了以SiO2为声反射层的体声波谐振器。用X-射线衍射（XRD）、电镜扫描（SEM）、原......
AlN薄膜具有优良的绝缘性能和力学性能,被广泛应用于微电子领域的绝缘耐压涂层.采用离子注入结合磁过滤等离子体沉积技术,氮气流量......
采用射频磁控溅射法，以高纯Al（99．999％）为靶材，高纯N2为反应气体，在硅及金刚石上制备了氮化铝（AIN）薄膜．研究了氩气氮气比例、溅射气压等工艺......
研究在不同气压下,运用射频磁控溅射法在Si（100）上沉积氮化铝（AlN）薄膜,并使用XRD、SEM、AFM、XPS和纳米压痕等表征手段研究薄膜的性质......
用直流磁控溅射方法在硅衬底上制备氮化铝薄膜。X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪分析了薄膜的结构和成分；椭圆偏振仪测量并拟合获得......
采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了具有较好(002)择优取向性的AlN薄膜.采用典型的半导体光刻工艺,利用刻......
以氮气为反应气体,采用磁控反应溅射方法制备了择优取向的氮化铝薄膜.通过XRD测试发现,靶基距、溅射气压影响薄膜的择优取向:大的......
工业生产中需要测量机械零件的润滑油膜厚度,利用超声波检测可实现无损检测的目的。利用氮化铝（AlN）陶瓷膜制成的压电换能器对超声波......
论述纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片的研制.此基片可供制造高温力学量传感器.其要点是在力敏电阻条与硅弹性膜之间利用AlN......
为验证氮化铝薄膜在传感器设计技术方面具有独特的优势,以振动传感器为例开展氮化铝薄膜MEMS振动传感器设计与试验研究,通过在不同......
氮化铝薄膜具备其它Ⅲ-Ⅴ族金属化合物薄膜所不具备的很多优良性能。AIN薄膜在发光器件与敏感器件,高功率与高温电子器件、纳米技......
MEMS压力传感器是MEMS传感器中使用最广泛的器件,具有体积小,无线无源,成本低等优点。目前主流的MEMS压力传感器都是传统的压阻式S......
用量子化学从头算方法(HF/6-31G)和密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法,以6-31G标准基组加一个极化函数,对(ClAlNH)n(n=1～10)簇合......
温度和质量检测在环境、生物、能源等领域有着非常重要的作用。本文在研究声表面波传播理论基础上仿真、设计和制备了双端口延迟线......
为了制备光学性能良好的AlN薄膜。采用磁控反应溅射法制备了氮化铝（AlN）薄膜，利用椭圆仪、分光光度计、傅立叶变换光谱仪对AlN薄膜进......
目的制备性能优异的氮化铝薄膜。方法采用射频感应耦合离子源辅助直流磁控溅射的方法制备氮化铝薄膜,在不同的气压下,在Si（100）基片......
采用激光分子束外延法在Al2O3基片上制备AlN薄膜。用反射高能电子衍射、X射线衍射和原子力显微镜研究沉积温度对薄膜微结构的影响,......
基于微电子和微机械加工工艺制备了一类氮化铝AlN（Aluminum Nitride）压电微扬声器。研究了器件薄膜残余应力对器件性能的影响,采用带......
