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磷化铟基晶体管相关论文
InAlAs/InGaAs InP基HEMTs器件钝化及器件模型研究
磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(HEMT)是电流截止频率((fT)与最高振荡频率(fmax)同时大于1THz的晶体管。由于InP基HEMT器件具有......
学位
磷化铟基晶体管
表面钝化
射频性能
直流性能
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