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介绍了具有自主知识产权的微波低噪声锗硅(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)，给出了器件的基本结构及它的基本工艺流程。通过对集电区埋......
会议
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磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(HEMT)是电流截止频率((fT)与最高振荡频率(fmax)同时大于1THz的晶体管。由于InP基HEMT器件具有......
本文详细分析了模-数转换误差对数据要集系统的影响....
The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10......
