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等效衬底模型相关论文

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超结器件非全耗尽模式 R阱模型最低比导通电阻等效衬底模型

SOI基横向半超结器件比导通电阻模型与实验研究

SOI智能功率集成电路(Smart Power IC,SPIC)因其SOI(Silicon-On-Insulator)材料介质层的存在,相较于硅基芯片,能实现更高的集成度......

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超结器件等效衬底模型归一化导电能力比导通电阻击穿电压

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