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等离子体增强反应蒸发沉积相关论文
等离子体增强反应蒸发沉积的氟掺杂氧化铟薄膜的性质
采用直流辉光CF4 O2 等离子体增强反应蒸发方法沉积了氟掺杂氧化铟透明导电薄膜 ,经过真空退火处理薄膜的电阻率达到 1 8× 10 - 3......
期刊
透明导电薄膜
氟掺杂
等离子体增强反应蒸发沉积
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