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等离子增强型原子层沉积相关论文
原子层沉积氮化钽薄膜的研究进展
在集成电路中,铜互连工艺需要沉积一层连续且保形性良好的铜阻挡层。氮化钽是一种过渡金属氮化物,由于其硬度高,导电性可控,对金属......
期刊
TaN薄膜
原子层沉积
等离子增强型原子层沉积
电阻率
铜阻挡层
TaN filmatomic layer deposition(ALD)plasma enha
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