铜阻挡层相关论文
我们成功合成了TaN薄膜原子层淀积的高纯有机钽先驱物并使其特性化,同时对这些先驱物的汽压和热稳定性进行了研究.根据汽压分析发......
为了实现A公司“提高产能降低成本”的目标,本文通过实验试图发现一种大规模生产中可以在沉积Si3N4薄膜工艺上取代HDP-CVD(High De......
在集成电路中,铜互连工艺需要沉积一层连续且保形性良好的铜阻挡层。氮化钽是一种过渡金属氮化物,由于其硬度高,导电性可控,对金属......
