等离子色散效应相关论文
We demonstrate a sub-nanosecond electro-optical switch with low crosstalk in a silicon-on-insulator (SOI) dual-coupled m......
本论文主要涉及到新型硅基光波导开关的设计、制作和测试，内容包括： A.利用SiGe材料，结合多模干涉(MMI)原理和等离子色散效应，理论......
分析了载流子吸收对SOI材料制作的Y分支型Mach-Zehnder干涉型电光调制器／开关性能的影响，并提出了改进器件性能的一些措施。......
提出了一种SOI新型MOS电容型电光调制器．与普通单一电容型MOS调制器相比，由三层栅氧化层形成的新型MOS电容型调制器提高了调制效率．模......
在超紧缩双曲锥形3 dB多模干涉耦合器的基础上,设计了一种新的Silicon-on-insulator (SOI) Mach-Zehnder干涉型电光调制器.与传统......
提出了一种新的紧缩型SOI多模干涉(MMI)光开关.开关由单模输入输出波导和MMI耦合器组成.通过在多模波导区域引入调制区,利用Si的等......
分析了SOI (silicon-on-insulator)2×2电光开关工作时热光效应对等离子色散效应的影响.采用二维半导体器件模拟器PISCES-Ⅱ对......
硅材料在地球上分布广泛,成本低廉,对光通讯波段的光吸收小,同时它作为微电子领域的传统材料,具有加工工艺成熟,易于集成等诸多优......
硅材料作为微电子领域的传统材料,在加工工艺和制作成本上有着其他材料无可比拟的优势。现在许多传统的基于Ⅲ-Ⅴ族材料的电光调制......
