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纵向结场效应管相关论文
GaN基纵向JFET功率器件新结构的设计和优化
GaN作为第三代宽禁带半导体材料的代表,由于其禁带宽度大、临界击穿电场高、导热率高等优势,使其在功率半导体领域表现出巨大的潜......
学位
氮化镓
纵向结场效应管
肖特基势垒二极管
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