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终端扩展区相关论文
FP—JTE终端扩展区注入剂量对击穿电压的影响
提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法,分析了下FP-JTE终端结构中扩展区注入剂量对击穿电压的影响,结果表明击穿电......
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