注入剂量相关论文
本文基于仿真和实验方法，开展了100VN 沟槽MOSFET的设计研究工作。通过沟槽深度，体区注入剂量和栅氧化层厚度拉偏，获得了对击穿电压，阈......
背散射分析是一种定量的、对重元素敏感的离子束分析技术，用于分析固体材料的近表面区域．简述了背散射分析的基本原理、实验装置及具......
本文对80例成年病人用循环密闭环路内注入挥发性麻醉药维持麻醉，用CAPNOMAC气体分析仪连续监测呼吸道内吸入及呼气末浓度。分四组观......
激光的出现带动了光通信，光信息处理与光传感等各种新技术的发展。集成光学的出现为光波传输和处理提供了理想的波导结构形式。集成......
传统的电荷耦合器件(CCD)处于强光环境时,会产生光晕现象;纵向溢出漏结构的出现,满足了CCD在强光环境下的使用要求。通过对CCD的纵......
过去,齿科麻醉的主要方法一直是浸润麻醉和传导席醉。近年来日本Bayer公司研制出一种新型的牙周膜韧带内麻醉专用注射器CITOJECT......
本文研究了硅中离子注入层的红外瞬态退火.对于注As~+和注B~+样品的测试表明,红外瞬态退火具有电激活率高、缺陷消除彻底和注入杂......
一、引言离子注入穆斯堡尔谱学是新近发展起来的研究离子掺杂时引起的晶格微观结构变化的重要手段。用同位素分离器进行放射性离......
[目的]探明氮离子束注入后,小麦诱变群体(M1代群体)氮素利用及产量品质的变化趋势,为小麦优质生产提供理论依据.[方法]以小麦品种......
本研究采用能量为25kev,注入剂量为4×1017cm-2时的氮离子束对水稻品种紫粳(2),紫粳(4),圭630(2),圭630(4),爪双(2),爪双(4)干种子......
采用氧氮共注的方法制备了氮氧共注隔离SOI(SIMON)圆片,对制备的样品进行了二次离子质谱和透射电镜分析,并对埋层结构与抗辐射性能......
以农花5号花生为试材,研究4种注量的低能C^＋对农花5号M3代抗旱性能的影响。通过田间小区试验对M3代主茎高、侧枝长、叶片失水率等指......
本文中我们利用紫外、红外光谱等分析手段获取低能离子束生物诱变的信息.发现用30keV低能氮离子和氩离子在0-2×1016ions/cm2......
研究了离子注入剂量和剂量率对工程塑料表面纳米硬度提高效果的影响,分别将不同剂量的C离子注入尼龙6和PET以及Al离子注入PPO,并将......
试验以山西省传统的枣树（骏枣和壶瓶枣）接穗为主要研究对象,利用氮、氩等离子体进行注入处理,并用常规的嫁接方法进行嫁接、调查,经......
目的研究N,Ti,Al离子注入对304不锈钢耐磨性的影响规律,为304不锈钢材料的改良提供参考。方法采用等离子注入技术,在不同剂量下对3......
在（0001）面的蓝宝石衬底上用低压MOCVD法生长p型GaN外延层。对p型GaN薄膜用180keV的Mn^＋离子注入进行磁性粒子掺杂，注入时GaN薄膜处于3......
以野生型苹果酒酵母菌为出发菌株,利用离子注入对其进行诱变.结果表明,对苹果酒酵母菌的最佳离子注入剂量为8×1015/cm2 N+,此......
<正> 一、引言在半导体器件生产中,经常用硼离子注入制作双极电路中晶体管的基区。本文主要论述怎样根据电路对基区要求的结深、方......
报告了高分辨率N型HPGe同轴探测器的研制结果;在固定的离子能量,束流密度和注入角度条件下,研究了探测器外侧P-N结的反向V-I_L特......
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本文阐述了把BF2离子团作为一种受主杂质在器件中的应用。认为在半导体器件工艺中,BF2离子团不仅可以代替B离子掺杂,而且由于损伤......
<正>浅结制备对LSI,特别是VLSI来说,是十分重要的工艺.由于BB+的质量小,常规低能注入时有许多无法克服的缺点,难以与75As+匹配来制......
<正> 代森锌是一种杀真菌剂。它的0.3～0.4%的悬浮液可用来保护菜田和瓜田作物(2～4公斤/公顷)、果树和葡萄园(6～8公斤/公顷),也可用来......
利用ＴＥＭ、ＡＥＳ、ＸＰＳ技术分析研究了不同退火气氛对ＳＩＭＯＸ材料的影响．结果表明，在注入能量和剂量以及退火温度和时间都相同的条件下，在Ａｒ＋０．５％Ｏ２中退火，可以获得光......
本文研究了硼注入绝缘ＩｎＰ和Ｎ型ＩｎＰ的电性质．硼注入是在１００ｋｅＶ能量下，剂量从１×１０１２到１×１０１６ｃｍ－２范围内进行．注入后的退火在纯氮气的保护下由１００℃到７００℃范围变化．硼注入......
为了满足集成电路向高密谋,高速度和高可靠性发展的需要,特别是浅结和微小区域的欧姆接触的需要,使用多层金属化系统,多层金属化要......
