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背势垒结构相关论文
GaN HEMT材料的MOCVD生长及新结构研究
本论文围绕GaN基HEMT材料与器件,开展了MOCVD设备研制、GaN材料生长、HEMT新结构设计三个方面的研究。首先介绍了自主研制可生长3-8......
学位
氮化镓
铁掺杂
MOCVD技术
背势垒结构
多栅指结构
外延生长
半导体材料
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