自偏置相关论文
射频功率放大器的能耗占据整个射频前端能耗的主要部分,其效率对整个前端系统的效率影响巨大,同时高带宽利用率的调制方式对功率放......
随着信息化时代的到来,人们对通信的需求越来越高,为了提高通信效率、降低通信成本、加强通信安全性,超宽带技术(Ultra WideBand,U......
针对ISO/IEC 18000-6C协议的应用要求,设计了一款应用于手持超高频无线射频识别(UHF RFID)读写器输出端的两级SiGe功率放大器。在......
“泛在电力物联网”背景下,需要对电网状态评估、故障定位和调度等方面进行大量优化。在新形势下,基于现有电流测量手段的局限性,......
六角晶系的钡铁氧体,因其高的磁晶各向异性内场,成为微波高频铁氧体的研究首选。其高的饱和磁化强度,强的磁晶各向异性场（自偏置性......
由于越来越低的供电电压与深亚微米效应的影响，对于锁相环的性能提出了更高的要求。对于经典结构的锁相环，分频系数对环路带宽和环路......
随着大规模集成电路的发展，片上系统（SoC）电路已经能够在一个单一的芯片上实现信号的采集、转换、存储、处理和输入输出等功能。这种......
利用带隙电压基准的基本原理,结合自偏置共源共栅电流镜以及适当的启动电路,设计了一种新型基准电压源。获得了一个低温度系数、高......
设计了一种自偏置、共源共栅（cascode）结构的CMOS和式带隙基准电流源电路。用Chart 0．35μm5V电压CMOS工艺参数进行了Hspice仿真，结果......
基于带隙基准原理,采用CMOS阈值电压的自偏置共源共栅电流镜技术,设计了一种高精度低温漂基准电压源.该电压基准源采用自偏置阈值......
设计了一种CMOS基准电压源结构,具有高精度、低温漂的特点。它利用带隙基准的基本原理,结合自偏置结构以及适当的启动电路,获得了......
为了满足环行器小型化和集成化的需求，基于0．4mm厚的锶六角铁氧体材料，采用多枝节短截线阻抗匹配设计，利用HFSS软件进行仿真，制备了工作......
基于钡铁氧体材料设计并制作了中心频率在22GHz的自偏置环行器，仿真结果表明，在22．6GHz附近，插入损耗小于0．2dB，隔离和回波损耗均大于30d......
自偏置锁相环电路结构自提出以来便受到了极大的关注,人们普遍认为其可以改善锁相环的相位噪声。为了验证这种结构能否改善传统锁......
重点分析了环路延迟对锁相环稳定性和输出信号抖动性能的影响,提出了一个简单的优化设计方法。用90nmCMOS工艺设计实现了一个基于......
采用A类与B类并联的结构，设计了一种2．4GHz高线性功率放大器。输入信号较小时，A类放大器起主要作用；随着输入信号的增大，B类放大器起的......
介绍了一种基于低压、宽带、轨对轨、自偏置CMOS第二代电流传输器（CCⅡ）的电流模式积分器电路,能广泛应用于无线通讯、射频等高频模......
提出了一种自偏置,共源共栅（Cascode）结构的标准CMOS带隙基准电路,未使用运算放大器,占用面积小,功耗低,有利于集成到低功耗电路系统......
提出了一种基于自偏置尾电流整形的宽带正交压控振荡器（Q—vco）结构，其输出信号的交流成分和负峰值通过电容和峰值检测器叠加反馈到尾......
基于标准1μmCMOS工艺，针对1V供电电压，设计了一种自偏置PTAT电流产生电路和低电源、高增益的运算放大器，最终实现了低电源工作的带隙......
设计了适用于宽输入范围的Ser Des芯片的锁相环电路,采用自偏置技术,有较宽的输入参考频率范围,不需要外加偏置电路,而且环路带宽......
本文采用hfss微波仿真软件设计了中心频率在25ghz的微带结环行器，仿真结果表明，该环行器在中心频率附近的插损s12为2db，隔离s21为20db......
一种宽带自偏置CMOS第二代电流传输器（CCII）电路，由轨到轨输入级、缓冲级、电流镜和偏置电路组成，其主要特点是带宽宽、低功耗、电压和......
在SMIC 0．18μm CMOS工艺下实现了一种工作在0．6～1．5V下的基准源．分别采用环路增益法和返回比法对其中的自偏置放大器和核心电路的环路......
设计了一种高稳定性低功耗的自偏置锁相环,采用单电荷泵结构,并加入了快速启动电路,在不增加功耗的前提下,减小了环路的锁定时间。......
利用反向带隙电压原理，采用基于CMOS阈值电压的自偏置共源共栅电流镜技术，设计了一种低压低噪声基准电压源。该电压基准源没有外加滤......
锁相环(Phase-Locked Loop,PLL)频率综合器具有易集成、低功耗和低输出抖动等优点,已成为无线通信系统中无线发射机和接收机的重要......
环路滤波器的作用就是滤除从PFD＆CP出来的电压中的高频成分，从而纯化VCO的输出信号。电流模滤波器早在20世纪80年代就被提出了，凭借其......
基于厚度为10 μm的钡铁氧体薄膜设计,制备了共面波导结构的毫米波薄膜环行器.这种薄膜环行器不需要外加磁体,在34 GHz和37.6 GHz......
在过去的几十年中,无线电市场的需求呈指数增长。为了迎合市场的需求规律,在新无线电标准下,必须降低无线设备的制造成本、提高电......
介绍了subLVDS接口的系统结构并给出一种改进的内部收发器实现电路.为了稳定直流工作点,在发送器内部加入与电源电压无关的自偏置......
本文基于微磁学理论和微磁学仿真软件OOMMF探讨了多种纳米结构磁材料的磁性能,具体包括:椭球状纳米片结构,多孔纳米片结构,纳米线......
随着CMOS工艺的发展，器件尺寸逐渐缩小，短沟道效应的影响日益突出。共源共栅电流源可以很好地抑制小尺寸效应．但其消耗的电压余度较大......
本文采用HLMC（华力）55LP工艺，设计了一个输入范围1．6V-3．3V，输出范围为1．2V±2％的BGR（带隙基准源）。本文首先介绍BGR的工作原理，同时着重......
自偏置是毫米波环行器/隔离器小型化的重要途径之一,具有高内场和高剩磁的六角铁氧体是一种很好的自偏置材料,因而成为微波铁氧体......
在分析带隙基准理论的基础上，针对SoC芯片的1．2V数字电路供电，设计一个低功耗低温度系数、高电源抑制比的带隙基准源。电路由一个与绝......
在自偏置A类共源共栅射频功率放大电路拓扑基础上,基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了两级自偏置A类射频功率放大器电路。该射频功率......
该文提出了一种用中芯国际0.18μm工艺设计的自偏置预失真AB类功率放大电路电路结构。电路采用两级共源共栅结构,在共栅MOS管上采......
设计了一种可快速锁定、具有固定带宽比和良好抖动性能的自偏置锁相环。采用增加VCO延迟单元输出节点放电时间常数的方法,对VCO进......
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,采用自偏置共源共栅电流镜和正反馈技术,设计了一种用于电荷泵锁相环的电荷泵。仿真结果显示,所设计的......
结合国内现有的加工工艺水平,提出自偏置条件下的反向并联二极管对电路结构.不但解决了三倍频器偏置电路加工的难题,而且可以有效......
设计了一种环路带宽与输入频率的比值固定的自偏置锁相环。对VCO延迟单元进行改进,降低了抖动。采用SMIC 65nm CMOS工艺,在1.2V的......
设计了一种新的用于离线式集成开关电源启动电路的自偏置高压器件结构.对一个RESURF高压(功率)器件的此种自偏置方法进行了原理分......
设计了一种宽调节范围自适应带宽的低抖动锁相环倍频器(PLL)。通过采用自偏置技术,使得电荷泵电流和运算放大器的输出阻抗随工作频......
RC振荡器是通过电源或者电流源对电容进行充放电来实现振荡的电路,这种电路一般受温度、工艺以及电源电压的影响较大。因此,本文提......
环行器是通信、雷达等微波/毫米波电路与系统中不可缺少的元器件。随着微波/毫米波电路与系统向着小型化、集成化的方向发展,环行......
微波铁氧体环形器广泛地应用于无线收发系统中，是一种非常重要的微波铁氧体器件。利用传统的尖晶石与石榴石材料制成的铁氧体环形器......
