共源共栅相关论文
基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺设计并制备了一款2～18 GHz的超宽带低噪声放大器（LNA）单片微波集成电路（MMIC）。该款放......
采用栅长为0.25μm的增强型pHEMT工艺设计并制造了一款新型达林顿放大器芯片。该达林顿放大器第二级采用了共源共栅结构,引入了负......
射频功率放大器的能耗占据整个射频前端能耗的主要部分,其效率对整个前端系统的效率影响巨大,同时高带宽利用率的调制方式对功率放......
为了实现低噪声、高线性度、中功率的指标特性,设计了一款基于GaAs pHEMT工艺的2.5～4.3 GHz驱动功率放大器(power amplifier,PA),该......
期刊
采用0.5μm GaAs E-pHEMT工艺设计了一种0.1～6 GHz的高线性度射频放大器.结合达林顿电路与共源共栅电路结构,提出了一种新型放大器......
激光器驱动电路是光通信系统中发射端的重要部件,为了适应高速电/光转换的需求,基于28 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了......
摘 要：文章通过分析共源共栅功率放大器的基本原理，提出了一种新颖的基于cascode级间电路结构，通过优化电路级间的阻抗匹配的设计思路......
随着人工智能和集成电路行业的迅速发展,各种各样的智能家居和便携式电子产品涌进了广大人们的生活中,它们不仅改变了人们的生活娱......
基于0.25μm GaAspHEMT工艺设计了一种工作在Ku波段的可调谐模拟移相器.该移相器采用集总参数型复合左右手传输线(CRLH-TL)拓扑结......
首先测试了Cascode结构的氮化镓增强型高电子迁移率晶体管(GaN E-HEMT)的输出、转移特性曲线,分析了导通电阻、输入电容等影响开关......
期刊
光接收机是光通信系统的重要组成部分，而前置放大器作为光接收机的关键模块，其性能很大程度上决定了光接收机乃至整个光通信系统的性......
随着便携式电子产品的迅速发展,直流稳压芯片也越来越重要,低压差(Low Dropout,LDO)线性稳压器由于具有输出稳定、电压纹波小等优......
设计了一种2.4 GHz低功耗可变增益跨阻放大器。该放大器为两级放大结构,主要应用于电流模式发射机后端的电流-电压信号转换及放大......
采用TSMC 0.25μm CMOS工艺,提出了一种基于衬底驱动放大器的高精度带隙基准(BGR)电路。采用衬底驱动技术的放大器,有效地降低了电......
由于CMOS晶体管的特征尺寸急速的缩放,CMOS晶体管的参数不断改进,使得最新CMOS晶体管获得的噪声系数足够低到足以应用到无线电天文......
设计了一个应用于高精度流水线结构ADC中的高增益、宽频带全差分运算跨导放大器(OTA)。整体运放采用了2级结构,第一级采用套筒共源......
设计了一种电源输入模块,可承受高达两倍单管工艺极限电压的供电电压.该模块使用共源共栅结构和偏置跟踪技术,基于0.35μm、5V的低......
为了提高接收机的性能,基于台积电公司0.18 μm CMOS工艺设计了低噪声放大器.从晶体管模型出发,分析了阻抗匹配,采用源端负反馈和......
为提高运放性能和增大输入输出信号动态范围，往往采用轨对轨输入输出结构的运放。介绍了一款基于0．35umCMOS工艺设计的恒定跨导轨对......
分析了具有源级退化电感的CMOS共源共栅结构电路在低频、低功耗LNA设计中存在的缺陷，为满足低频、低功耗设计的要求，现广泛采用在该......
激光测距技术广泛用于军事、工业、航空航天等领域，近年来其对测量精度的要求越来越高。脉冲测距接收芯片是整个系统的核心，而高增益......
介绍了电流模式电路的基本概念和发展概况,与电压模式电路相比较,电流模式电路的主要性能特点。并介绍了广泛应用于各种电流模式电......
设计并分析了一种2.4GHz小信号的CMOS低噪声放大器(LNA),其源漏极间沟道长度为0.18m,在给定功耗下选择晶体管相关参数,利用ADS(Adv......
设计了一种应用增益增强技术和斩波稳定技术的全差分折叠式共源共栅运算放大器;整体放大器采用了折叠式共源共栅结构,主运算放大器......
设计了一个适用于音频功放芯片的高精度过温保护电路。该电路以PTAT电流检测温度变化为原理,采用共源共栅电流镜,以正反馈结构实现......
设计了一款用于UHFRFID射频前端接收机的高线性度LNA。该低噪声放大器采用噪声消除技术，具有单端输入差分输出的功能，能够同时实现输......
针对传统CMOS带隙电压基准源电路电源电压较高,基准电压输出范围有限等问题,通过增加启动电路,并采用共源共栅结构的PTAT电流产生......
比较了电阻阵列动态红外景象投射器单元电路的三种不同驱动结构的性能，用spice软件进行了仿真，讨论了这三种电路对电源总线和地总线......
开关电流取样单元电路是开关电流取样数据系统的基础.针对第二代开关电流取样原理构成的取样单元电路存在取样精度低,取样波形畸变......
根据DCS1800和PCS1900的系统指标要求，采用全差分源级退化电感和共源共栅结构设计了一款适用于DCS1800/PCS1900双频手持设备的低噪......
在对传统的带隙基准电压源电路分析和总结的基础上，提出了一种基于BiCMOS工艺的，新颖的自偏压共源共栅电流镜结构的高精度带隙基准电......
在集成电路系统中，各种模拟功能的电流单元都是由基本的电流模单元组成。跨导放大器是电流模电路的基本单元。基于跨导放大器的电流......
本文分析了套筒式共源共栅运算放大电路的基本结构，并基于GF0．18umC－MOS工艺，设计了一种全差分套筒式共源共栅两级放大电路，并匹配了两......
设计了一种用于高速高分辨率ADC的运算放大器。电路采用全差分结构,以及运用了增益提高技术的折叠式共源共栅放大器,以满足高速、......
在实际应用电路时,噪声及波动经常不知不觉会引入到供电电压中,从而影响输出端电压。为使电路稳定,需消除或抑制所产生的噪声。文......
采用0．18μm SMIC数模混合与射频（RF）CMOS工艺实现了一个应用于ISM（工业、科学和医疗）频段接收机的433MHz低功耗低噪声放大器（LNA）的设计．......
研究了一种全差分高增益、低功耗的CMOS运算放大器,采用折叠共源共栅结构、开关式共模反馈以及宽摆幅偏置电路。基于CSMC 0.6μm C......
设计了一种电源输入模块，可承受高达两倍单管工艺极限电压的供电电压。该模块使用共源共栅结构和偏置跟踪技术，基于0．35μm、5V的低压......
针对40 Gb/s 光通信系统对高速芯片的需求，设计出一种微波单片宽带驱动放大器。该放大器基于0．15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工......
介绍一种能用于CMOS放大器上的带宽扩展技术。该技术是在共源共栅结构的基础上改进而来,在共栅管栅极加入电感、电容和电阻,可以实......
采用台积电（TSMC）0．1gum标准RFCMOS工艺进行仿真验证；改进了器件的噪声模型，给出了在功耗和阻抗匹配条件下噪声性能优化的设计方法。在......
提出一个共源共栅结构的超宽带低噪声放大器。该电路基于台积电0．18μmCMOS工艺，工作在3GHz～5GHz频率下，用来实现超宽带无线电。仿真结......
提出了一种基于共源共栅电流镜的CMOS电流控制电流传输器（CCCII）电路。该电路由跨导线性环电路和共源共栅电流镜构成。相对于基于基......
基于自主研发的InP基高电子迁移率晶体管工艺设计并制作了一款W波段单级低噪声放大单片毫米波集成电路.共源共栅拓扑结构和共面波......
在TSMC 0.35um RF SiGe工艺上，完成了共源共栅结构两级S波段窄带LNA设计，并制作了版图且版图面积0.44mm2。窄带LNA采用2V电压供电。......
文章成功地将一种全差分折叠式共源共栅运算放大器结构应用于移动电话音频功率放大芯片的设计中.仿真表明,该音频功率放大芯片的电......
设计了一种基于0．25μm CMOS工艺的共源共栅型1．3GHz的LNA。从噪声优化、增益及阻抗匹配角度详细分析了电路的设计方法，讨论了寄生电......
