自旋劈裂相关论文
通过自恰求解薛定谔方程和泊松方程,可以得到沿c轴生长的AlxGa1-xN/GaN异质结中的导带底的形状,同时得出电子分布以及所有束缚态。......
我们理论研究了稀磁半导体二维电子气在均匀、周期调制弱磁场下的自旋极化输运，发现体系的载流子自旋极化度几乎为零，但电流的自旋极......
单层的MoS2、MoTe2和WSe2等过渡金属硫属化合物是直接带隙半导体材料[1]，近几年在基础研究和应用领域都引起了广泛的兴趣。我们......
本文通过基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了过渡金属原子吸附的单层过渡金属二硫属化物MX2(M=Mo,W;X=S,Se Te)以及过渡......
拓扑绝缘体(TI)具有受时间反演对称性保护的自旋劈裂的狄拉克表面态,理论预言,如果能在拓扑绝缘体中引入破坏时间反演对称性的磁有......
针对最近关于自旋注入有机体的实验研究,理论上计算了有机分子与磁性原子接触时的自旋极化现象.通过调节磁性原子的自旋劈裂强度,......
对准一维有机聚合物棱形链AB2结构的磁性机理进行了研究.详细考虑该体系中的电子跳跃和电子关联,在平均场理论框架下,自恰地计算了......
介绍了与磁性电极耦合的量子点的近藤共振、单电子能级自旋劈裂、磁化和线性电导等物理性质.研究结果显示,当磁性电极磁矩取向相同......
对由ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ，ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ和ＧａＡｓ三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究。通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的......
四种材料超晶格的价带自旋劈裂的研究田园ａ）陈维友ｂ）彭宇恒ｂ）张宝林ａ）ａ）（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）ｂ）（吉林大学电子工程系，长春１３００２３）关键词能带结构......
本文对由ＡｌＡｓ、ＡｌｙＧａ－ｙＡｓ、ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ和ＧａＡｓ四种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究，通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时......
拓扑绝缘体（TI）作为一种全新的量子态，有很强的自旋轨道耦合作用(spin-orbit coupling,简称SOC)。区别于普通绝缘体，其块体能带具有带......
自旋晶体管是指利用电子自旋自由度构建的在结构上类似于传统半导体晶体管的三端自旋器件.对基于自旋劈裂的磁双极型自旋晶体管、......
基于考虑自旋轨道耦合的第一性原理方法,研究了Bi_2Se_3薄膜和吸附铅原子的Bi2Se3薄膜的能带结构.计算发现铅原子在Bi2Se3薄膜能带......
Bi2Se3作为第二代三维强拓扑绝缘体，是目前的研究焦点。它具有非常强的自旋轨道耦合作用，在块体能带中形成反转带隙，而在表面或界面上......
自从石墨烯发现以来,由于其新奇的层状结构和独特的能带结构,受到了很大的关注。然而,由于其没有带隙,难以在电子器件获得实际应用......
锰氧化物因其超大磁电阻效应在磁存储，磁传感器件，自旋阀，自旋晶体管等方面有着广泛的应用前景；而高质量薄膜样品的制备及其各种性质的......
半导体介观体系中的自旋极化输运的研究是当前凝聚态物理的重要课题。本文针对具有重要理论意义和应用前景的半导体介观结构中的自......
