自旋晶格弛豫相关论文
低维材料是指材料中的导电电子被限制在一维的直线或二维的平面上运动的材料,因而它们的导电性以及磁性等物理性能在各个晶格方向......
用扩展的Solomon方程描述1H受到射频(RF)场照射时13C的自旋晶格弛豫过程.理论分析表明,在1H受到射频场照射时,13C自旋晶格弛豫通常......
用推广的Ｓｏｌｏｍｏｎ方程描述了＾１Ｈ通道加上射频场的＾１３Ｃ自旋晶格弛豫，分析表明在＾１Ｈ射频照射下＾１３Ｃ自旋晶格弛豫通常是一个三指数过程，但是在一些实验条件下可......
